SOI LDMOS器件的Sentaurus TCAD建模与关键电学特性仿真研究
摘要
绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（SOI LDMOS）凭借其高击穿电压、低寄生电容、优异的隔离特性以及与CMOS工艺的良好兼容性，已成为功率集成电路中不可或缺的核心器件。本文利用Synopsys Sentaurus TCAD仿真平台，系统开展了SOI LDMOS器件的建模与仿真研究工作。首先阐述了SOI LDMOS的基本结构原理及RESURF技术的耐压机制；随后以Sentaurus结构编辑器（SDE）完成了器件几何定义、网格生成和掺杂分布的配置；在Sentaurus Device中建立了完整的物理模型体系，包括迁移率模型、复合模型和碰撞电离模型；接着通过对不同偏置条件下的电学仿真，提取了器件的转移特性、输出特性、击穿特性等关键电学参数；最后系统分析了各关键参数对器件性能的影响规律。本文提供的完整代码和详细解释旨在为半导体功率器件方向的学习者提供规范化的仿真建模参考。
关键词：SOI LDMOS；Sentaurus TCAD；RESURF；器件建模；击穿电压；导通电阻
一、引言
1.1 SOI LDMOS器件的研究背景
随着便携式电子设备、汽车电子和电源管理系统的快速发展，功率集成电路（Power IC）对高压功率器件的性能要求不断提高。LDMOS器件因其高击穿电压和优异的功率处理能力，在这些应用中扮演着核心角色。传统的体硅LDMOS虽然
