1.从闪存架构上来梳理
1.1 Package
Package上可能是封装单Die或者多Die堆叠的。
1.2 Target/LUN/Die
Target中有多LUN堆叠，或者单Die；
LUN是Die的逻辑对应；
Volume 是host对LUN操作的地址对象，可以通过操作Volume来实现操作CE选中Die等，所以可以理解为Volume是LUN的逻辑寻址单元。
1.3 Plane
为了提升闪存的读写速度，在每个闪存中设置了一个或者多个寄存器，例如镁光的data register和cache register，能够提升并行传输的速度。
1.3.1 multi-plane
multi-plane是在一个Die里面进行的，主要目的是加速，通过对多plane操作传输速度；思考问题，
- 可以使用任意个plane做multi-plane吗？
可以使用任意个Plane进行multi-plane操作
- 擦除也有multi-plane吗
擦出也有multi-plane，而且擦除multi-plane必须对同一编号的Block进行擦除，这是物理结构导致的，因为擦除就是施加大电压大电流，有物理结构上来看，NAND会把所有 Plane 的同编号 Block，连接到同一个高压驱动模块上；当执行 Multi-Plane 擦除时，只需要给这个高压模块加一次电，就可以同时给所有 Plane 的同编号 Block 施加擦除高压
- 读/写/擦除的multi-plane有什么区别
写：操作的页需要有相同的chip地址，die地址，不同block地址，page地址，但plane地址不同。
读：plane，block和page地址都可以不同。
擦除：操作的块需要有相同的chip地址，die地址，block地址，但plane地址不同。
1.3.2 Cache写和正常写
这个也是为了加速，由于SSD缓存写到Cache中的速度和Cache写到flash的Page中的速度不匹配，可以使用Cache写加快数据传输。
1.3.3 读干扰，写干扰会作用到整个Plane层面
读干扰和写干扰的的底层逻辑都是由于读写过程中，对一些不需要读写的WL施加了导通电压，造成了不必要的写入，这样的干扰会对Plane中的所有block造成影响。
有没有硬件隔离？例如同一个Plane上的每一个Block都有属于自己的WL。
1.3.4 擦除会作用到plane上去
擦除是对整个Block而言的，整个Plane都共用一套物理衬底，但在这块基底上，会通过离子注入工艺，划分出一个个独立的 P 型阱区（P-Well），这种电气隔离特性，可以控制某一块Block的擦除；但是擦除高压会通过硅基底的寄生电容，耦合到相邻 Block 的 P-Well 上，也就是擦除A‘block的时候，Plane里面的所有Block都会收到影响。
1.3.5 Plane的寻址选地址在哪
Plane的寻址地址在Block的最低位
1.4 Block
1.4.1 block是最小的擦除单元
1.4.2 写数据;先擦后写
1.4.3 Block内部的Page需要执行顺序写的规则
在物理地址上，Block内部的Page是必须执行循序写的要求，也就是Page -Page1 写到Page x，但是对host端输入的逻辑地址而言，可以是随机写的，也就是逻辑1到逻辑100，可以是逻辑1对应物理地址的block 4，Page 3，偏移地址 4；
1.4.4 Block里面所存的Cell单元的类型要一致，例如都是TLC的类型的Cell；
1.4.5 闪存寻址中Block本身无需按照循序读写。
1.5 Page
1.5.1 Page是最小的读写单元
Page的读写寻址是从按顺序Page 0-Page1-Page x的。
1.5.2 Page中空间的划分
用户空间和OOB区的划分是在Page中，OOB区存在坏块标记表，ECC纠错校验码等。
1.5.3 Block结构中一条WL代表着1个Page。
1.5.4 XLC对应的Page都在同一个Block里面。
读取XLC的Page可以是任意顺序，但是写入XLC必须按Lower->upper Page 顺序实现。
1.5.5 column地址是Page内的最小偏移地址
也是Page内某一个字节的读写起始地址，这个地址覆盖了用户数据区和OOB区。
1.5.6 Page下逻辑存在的Frame
Page下逻辑存在frame是一种数据形式，分为Data，spare，crc，Ecc，bcm
1.6 Cell
Cell是最小的储存单元，Cell里存储数据为1，2，3bit分别对应的闪存类型是：SLC，MLC，TLC.
例如MLC的一个Cell对应着2个Page。
1.6.1 读写擦除的电气原理
读：通过阈值电压来判断
写：正常都是先擦后写，擦过的Block中每个Cell都是”1“；给想要写入的WL上加入高压，实现数据”0“写入。
擦除：在衬底上施加高压
2.名词梳理
2.1 tPROG
就是Flash编程时间，发生在Cache缓存和Page的交互过程中，速度慢，是影响Flash性能的主要时间因素。
2.2 写放大
写放大=flash实际写入量/host写入量
垃圾回收，磨损均衡，读写干扰，各类搬移的情况。
3.闪存的特性
3.1.读干扰，写干扰和擦除干扰的区别
读干扰和写干扰是在读写过程中由于在非读写Page上添加的导通电压，导致的轻微写入，这种损伤是非永久性损伤，可以通过定期重读写消除；
擦除干扰是由于擦除次数过多导致绝缘氧化层变薄，电子更容易泄漏，这种是永久性损伤，长期用以形成坏块。
3.2.闪存坏点(bcm坏点管理)
闪存坏点就是数据的某个bit发生了错误；而bcm就是如果对坏点进行管理的方式？例如使用ECC纠错管理；怎么进行坏点管理？
3.3.闪存坏块
坏块就是当闪存块接近擦写最大次数的时候，会导致Cell永久性损伤，而且使用的越久，损伤的单元越来越多，而且ECC纠错都难以纠正过来，这样的闪存块就形成了坏块？
ECC纠错的单位是什么？
3.4.闪存的时序图
3.4.1 时序图上数据发送的顺序
按顺序是：命令--地址--数据
3.4.1 warmup
在高速数据的传输过程中不做Warmup容易出错，做warmup表现是数据采样之前就多发几个DQS，这几个DQS是带着数据的。
3.4.2 采样过程
在DQS的双边沿对稳定的数据进行采样。但是也分读和写，写的时候DQS双边沿对齐数据中心；读的时候双边沿对齐数据边沿。
