SAQP工艺是如何代替EUV的？
什么是SAQP工艺？
SAQP（Self-Aligned Quadruple Patterning），自对准四重图形化，
一句话总结：
光刻一次 → 利用四重间隔层技术（spacer x2），把线距缩小到原来的 1/4。
例如：
某光刻机只能做 38 nm pitch，
经过 SAQP → 9.5nm pitch 就能实现。
为什么要发明 SAQP？
因为 ArF 光刻（193 nm） 受限于物理分辨率，无法直接做：
14 nm，10 nm，7 nm，5 nm
甚至 3 nm 线宽/线距，而Fin fet电路线、栅极、金属线都要求极窄 pitch。
SAQP 就是用来弥补非EUV时代光刻分辨率不足的“补救方案”。
SAQP的工艺流程？
Step 1 — 1st Spacer Deposition
图中灰色是core（核心图形），绿色是spacer 材料。
流程：
先用光刻做出核心图形core（灰色）
再用 ALD/CVD 沉积 conformal 材料（绿色 spacer）把 core 完整包覆
Step 2 — 1st Spacer Etch
各向异性 RIE
去除水平部分，只保留下侧壁（green spacers）
图中你看到：core 两侧各留下一个绿色 spacer。
Step 3 — Core Removal
刻蚀去掉灰色 core，只留下绿色 spacer lines
Step 4 — 1st Layer Pattern Transfer
用绿色 spacer 作为掩膜
刻蚀转移到底层 HM（紫色）
HM 中形成新的细 pitch 图形（pitch 已变 1/2）
之后绿色 spacer 会被移除或保持，取决于工艺。
Step 5 — 2nd Spacer Deposition
此时紫色线是新的“core 替代物”。
重复第一轮动作：
在紫色线外 conformal 覆盖第二代 spacer（灰色）
Step 6 — 2nd Spacer Etch
与 step 2 完全相同：
方向性刻蚀去除顶部和底部
只留下灰色侧壁 spacer
现在你看到紫色每条线的两侧都有灰色 spacer。
这已经形成4X pitch-reduction的关键结构。
Step 7 — Remove Remaining 1st Spacer
把绿色的第一代 spacer 去掉
保留第二代 spacer（灰色）+ HM（紫色）
Step 8 — 1st Layer Removal / Final Transfer
最终以灰色 spacer（第二代）作为掩膜
刻蚀到最底层（红色）
完成超窄线距（最终 pitch = 原 pitch / 4）
这就是SAQP = Quadruple Patterning的由来。
