一句话回答
芯片本身没有"最大电流"这个参数，限制在采样电阻/CT 和封装功耗上。
芯片测量的是采样电阻两端电压，只要电压不超过 ADC 输入范围就能测。电流是 R=V/I 换算出来的。
一、真正的限制因素
电流路径:
I_max → 采样电阻 R_shunt → 产生电压 V = I × R → 芯片 ADC 采集
│
限制1：ADC 输入范围（不能饱和）
限制2：电阻功耗（不能烧毁）
限制3：CT 磁芯饱和（不能失真）
限制 1：ADC 输入范围（电气限制）
芯片 | 最大输入电压 | 对应公式 |
HLW8012/8032 | 30.9 mV RMS（固定） | I_max = 30.9mV / R_shunt |
HLW8110/8112 | 35.4 mV RMS（PGA=16 默认） | I_max = 35.4mV / R_shunt |
HLW8110/8112 | 565.7 mV RMS（PGA=1） | I_max = 565.7mV / R_shunt |
从 ADC 角度看：
- 用 1mΩ 分流电阻 → HLW8112 最大测约 **35A**
- 用 0.5mΩ 分流电阻 → HLW8112 最大测约 **70A**
- R_shunt 越小，可测电流越大
限制 2：分流电阻功耗（物理限制）
这才是真正的瓶颈。
P = I² × R
举例:
30A × 1mΩ → P = 30² × 0.001 = 0.9W ← 2512 封装勉强能扛
50A × 1mΩ → P = 50² × 0.001 = 2.5W ← PCB 散热困难
100A × 1mΩ → P = 100² × 0.001 = 10W ← 不可能用分流电阻
电流 | 1mΩ 电阻功耗 | 建议方案 |
10A | 0.1W | 分流电阻无压力 |
20A | 0.4W | 2512 封装 |
30A | 0.9W | 需注意散热 |
40A | 1.6W | 不建议分流 |
50A+ | 2.5W+ | 必须用 CT |
限制 3：CT 方案（互感器）
CT 方案通过匝比 n 将大电流缩小：
I_secondary = I_primary / n
V_in = I_secondary × RL = I_primary / n × RL
理论上 CT 方案可以测几千安培，只要 CT 磁芯不饱和、RL 选对。
CT 规格 | 可测电流范围 | 限制因素 |
1000:1 小型 CT | 0~100A | CT 磁芯饱和 |
2000:1 标准计量 CT | 0~200A | CT 磁芯饱和 |
专用大电流 CT | 0~数千A | CT 体积和成本 |
二、实际能测多大？（速查表）
分流电阻方案
分流电阻 | 8012/8032（30.9mV） | 8110/8112 默认 PGA=16（35.4mV） | 8110/8112 PGA=1（565.7mV） |
0.5mΩ | 62A功耗 1.9W | 70A功耗 2.5W | 1131A不可行 |
1mΩ | 31A功耗 0.96W | 35A功耗 1.2W | 566A不可行 |
2mΩ | 15A功耗 0.45W | 18A功耗 0.6W | 283A |
3mΩ | 10A | 12A | 189A |
5mΩ | 6A | 7A | 113A |
**结论：** 分流电阻方案实际建议 ≤ **30-40A**，再大必须转 CT。
CT 方案
CT 规格 | 8012/8032 + 1000:1 | 8110/8112 + 2000:1（推荐） |
RL=0.33Ω | — | 2000:1 →200A |
RL=0.68Ω | 1000:1 →45A | 2000:1 →100A |
RL=1.0Ω | 1000:1 →30A | — |
RL=2.2Ω | — | 2000:1 →30A |
**结论：** CT 方案可测 **数百安培**，限制在 CT 选型而非芯片。
三、总结
方案 | 最大电流（实用值） | 限制因素 |
分流电阻（1mΩ, 2512 封装） | ~30A | 电阻功耗（1W 极限） |
分流电阻（0.5mΩ, 铜条） | ~60A | PCB 散热、铜箔阻抗 |
CT 方案（标准计量 CT） | ~200A | CT 磁芯饱和 |
CT 方案（专用大 CT） | ~数千 A | CT 体积/成本 |
所以回答你的问题：
- 芯片本身 **软件上不限制电流大小**（改 R_shunt 或 PGA 就能调量程）
- 真正限制的是 **分流电阻的发热** 和 **CT 的磁芯饱和**
- 40A 以内用分流电阻划算，以上用 CT
