嵌入式相机电源设计：TPS65708 PMU核心原理与实战布局指南-平芜编程栈

1. 项目概述与核心价值

在嵌入式系统，尤其是像相机模块这类对空间、功耗和电磁干扰（EMI）都极为敏感的应用里，电源设计往往是决定项目成败的关键。你可能会遇到这样的困境：系统需要3.3V给核心处理器，1.8V给I/O和内存，2.8V给图像传感器模拟部分，1.2V给内部逻辑，可能还需要一个独立的LED驱动。如果为每一路电源都单独设计一个稳压器，PCB面积会被占满，布线的复杂度和成本会急剧上升，更别提多路开关电源带来的噪声干扰对图像质量的毁灭性打击了。

这时，一个高度集成的电源管理单元（PMU）就成了最优解。它把多个电压转换器、控制逻辑和保护电路都塞进一个比指甲盖还小的芯片里。今天要拆解的TPS65708，就是为这类场景量身定制的典范。它集成了两个最大400mA的同步降压转换器（DCDC）、两个最大200mA的低压差线性稳压器（LDO），以及一个7.5mA的PWM可调LED电流源。其核心价值在于，用一个芯片解决了嵌入式相机模块几乎所有的供电需求，同时通过高达95%的转换效率、2.25MHz的高开关频率（允许使用微型电感和电容）以及180°异相操作（显著降低输入电流纹波）等技术，在性能、尺寸和成本之间取得了绝佳平衡。

如果你正在设计一个基于嵌入式相机的产品，比如无人机图传模块、工业视觉传感器、或者带摄像功能的物联网设备，那么深入理解这颗PMU的设计思路、配置要点和潜在的“坑”，将能让你在电源设计上少走很多弯路。接下来，我将结合数据手册和实际工程经验，带你从内部原理到外围电路，彻底搞懂如何用好TPS65708。

2. TPS65708架构与核心功能深度解析

2.1 整体功能框图与引脚解读

拿到一颗芯片，第一件事就是看它的“地图”——功能框图。TPS65708的架构非常清晰：两路独立的降压转换器（DCDC1, DCDC2）和两路独立的LDO（LDO1, LDO2）是供电主力，一个开漏输出的恒流源（ISINK）负责驱动LED，所有的使能和时序逻辑则由内部统一管理。

这里有几个关键引脚需要特别关注，它们决定了芯片能否正常工作：

VCC (B4引脚)：这是整个芯片的“大脑”供电和电压监测点。必须注意：数据手册明确要求，VCC引脚必须连接到VIN1和VIN2，并且VCC的电压必须是输入到芯片的最高电压。这是因为内部的基准电压、逻辑控制和UVLO（欠压锁定）电路都靠VCC供电。如果VCC电压低于VIN1/VIN2，内部逻辑可能会紊乱。
VIN1 (C1), VIN2 (C4)：分别是两路DCDC的电源输入。它们的推荐工作范围是3.6V到6V。虽然它们内部最终会与VCC连接，但PCB布局时，仍建议在靠近每个VIN引脚处放置输入电容，以分别滤除各自DCDC产生的开关噪声。
FB1 (C2), FB2 (C3)：这是两路DCDC的反馈引脚。TPS65708的DCDC输出是固定电压的（出厂预设，例如DCDC1=3.3V， DCDC2=1.8V）。FB引脚内部已经集成了精密分压电阻网络，所以你不需要也不能在外部分压。FB引脚需要直接、短而粗地连接到对应的DCDC输出电容上，任何额外的走线电阻都会引入误差，影响输出电压精度。
MODE (B3引脚)：这是一个至关重要的模式选择引脚。拉低（接GND）时，DCDC会工作在自动模式（Auto PFM/PWM），即重载时固定频率PWM，轻载时自动切换到PFM（脉冲频率调制）以提升效率。拉高（接VCC或高电平）时，则强制DCDC始终工作在固定频率PWM模式。在相机应用中，如果对电源噪声特别敏感（比如影响传感器信噪比），即使牺牲一点轻载效率，也建议强制PWM模式以获得更纯净的电源。
PWM (B2引脚)和ISINK (B1引脚)：这是LED驱动部分。ISINK是电流沉（Sink）输出，连接LED的阴极。LED阳极需要接一个正电压（可以是VCC或某个DCDC输出，取决于LED正向电压）。PWM引脚接收一个来自主控MCU的PWM信号（最高50kHz）来控制LED亮度，实现无频闪调光。当PWM为低时，ISINK关闭（高阻态）。

2.2 核心特性与设计考量

TPS65708的数据手册开篇就罗列了它的核心卖点，我们逐一解读其背后的工程意义：

两个400mA同步降压转换器 (DCDC)：同步整流架构（用MOSFET代替二极管）是高效的关键，尤其是在输出压差小的时候。400mA的电流能力足以驱动大多数嵌入式处理器、内存和传感器核心。
高达95%的效率：这个数字是在特定条件下（如输入5V输出3.3V，负载适中）测得的峰值效率。实际效率取决于输入输出电压差、负载电流、电感DCR、MOSFET导通电阻等。高效率直接意味着更少的发热和更长的电池续航。
2.25MHz固定频率操作：高开关频率是一把双刃剑。
- 优点：允许使用更小的电感和输出电容（通常1.5µH和10µF即可），极大节省PCB面积。开关噪声的频率更高，更容易被滤波。
- 缺点：开关损耗会增加，可能影响峰值效率。对PCB布局的要求更高，因为高频开关会产生更强的电磁干扰（EMI）。
轻载Power Save Mode (PSM)：当MODE引脚为低且负载很轻时，芯片从PWM模式切换到PFM模式。PFM模式下，芯片并非每个时钟周期都开关，而是等输出电压下降到阈值以下时，才触发一次或几次开关脉冲，将电压抬升回去，然后进入睡眠。这能将轻载时的静态电流降至极低（典型值140µA），大幅提升轻载效率。这对于相机模块在待机或低功耗模式下的功耗控制至关重要。
PWM模式±1.5%的输出精度：在强制PWM模式下，输出电压精度非常高。这对于模拟电路（如图像传感器的模拟供电）非常重要，电压的微小波动都可能引入噪声。
100%占空比低压差操作：当输入电压降低到接近输出电压时，高边MOSFET会持续导通（100%占空比），此时DCDC像一个低压差的线性稳压器在工作，允许输入电压进一步降低而维持输出稳压。这能榨干电池的最后一点电量。
180°异相操作：这是多相电源的简化版。DCDC1和DCDC2的内部开关管导通时刻相差180度。这样，它们的输入电流纹波会部分抵消，使得从总输入电源VIN端看到的电流更加平滑。这能显著降低输入电容的RMS电流应力，减少输入电压的纹波，对系统稳定性有好处。
两个通用200mA LDO：LDO的噪声远低于DCDC，但效率也低（效率≈Vout/Vin）。它们适合给对噪声极其敏感的电路供电，比如锁相环（PLL）、射频（RF）或高精度ADC的基准源。TPS65708的LDO输入（VINLDO1/2）可以独立供电，也可以直接从DCDC的输出取电，这为噪声隔离和电源轨排序提供了灵活性。
7.5mA PWM可调电流沉：专为驱动相机模组上的补光灯或状态指示灯LED设计。开漏结构使得LED阳极可以接在不同电压上，设计灵活。

实操心得：模式选择（MODE引脚）的权衡在相机模块设计中，MODE引脚的选择需要仔细权衡。如果你的应用场景是持续录像或高帧率拍照，负载电流相对稳定且较大，那么设置为自动模式（MODE=低）可以获得最佳的整体效率。但如果应用涉及频繁的启动、待机（如智能门铃的移动侦测），或者你对电源噪声有极致要求，强制PWM模式（MODE=高）可能是更好的选择，因为它能避免PFM模式下的低频噪声（尽管幅度小，但频率可能落在敏感频段）。实测中，可以用示波器观察两种模式下电源输出的噪声频谱，结合图像测试来最终决定。

3. 外围电路设计与元器件选型实战

数据手册第15页的“典型应用电路”是我们设计的起点，但绝不能照搬。每一个外围元器件的选择都影响着性能、成本和可靠性。

3.1 输入电容（CIN）的选择与布局

对于DCDC的输入电容（VIN1, VIN2），其主要作用是提供低阻抗的本地储能，吸收芯片开关产生的瞬间大电流，防止输入电压产生过大纹波并干扰前级电源或其他共用此电源的电路。

容值：数据手册推荐使用10µF。这是一个经过验证的、能保证稳定性和性能的数值。你可以使用一个10µF的陶瓷电容（如0603封装的X5R或X7R材质）。如果PCB空间允许，并联一个0.1µF或1µF的小电容有助于滤除更高频的噪声。
材质与电压：必须使用陶瓷电容，因为其等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）极低，能快速响应电流需求。电压额定值至少是最大输入电压的1.5倍。对于6V最大输入，推荐使用额定电压为10V或16V的电容，以保证足够的余量，避免直流偏压效应导致容值下降。
布局黄金法则：输入电容必须尽可能靠近芯片的VIN和PGND引脚。理想的布局是电容放在芯片的背面（如果采用芯片级封装DSBGA）或紧挨着引脚，并使用短而宽的走线或过孔直接连接到电源平面和地平面。长走线会引入寄生电感，在高频开关时产生严重的电压尖峰。

3.2 输出电感（L）的计算与选型

电感是开关电源的“储能心脏”。TPS65708推荐使用1.5µH或2.2µH的电感。

电感值计算逻辑：电感值并非随意选择。它由开关频率（fsw=2.25MHz）、期望的纹波电流（ΔIL）和输入输出电压决定。公式为：ΔIL = (Vout / (L * fsw)) * (1 - Vout/Vin)。通常，设计时让纹波电流为最大输出电流的20%-40%。对于400mA输出，选择1.5µH电感，在Vin=5V， Vout=3.3V时，计算出的纹波电流约为100mA，是合理的。
饱和电流与温升电流：这是选型时最容易踩坑的地方。你必须关注两个电流参数：
1. 饱和电流（Isat）：电感值下降一定比例（通常为30%）时的电流。电感的峰值电流（IL_peak = Iout_max + ΔIL/2）必须小于Isat。否则电感饱和，感量骤降，会导致开关管电流失控，芯片发热甚至损坏。
2. 温升电流（Irms或Idc）：电感由于自身直流电阻（DCR）发热，导致温升在一定范围内（如40°C）的连续电流。你的最大输出电流必须小于此值。
DCR的影响：电感的直流电阻直接损耗功率（Ploss = Iout² * DCR），影响效率。在空间和成本允许的情况下，选择DCR更小的电感。
封装与类型：数据手册中列举了如Taiyo Yuden BRC1608（1.5µH）、TDK MLP2012（2.2µH）等型号。这些都是经过验证的、适用于高频应用的屏蔽电感。强烈建议使用屏蔽电感，它可以有效减少磁场辐射，降低EMI。

3.3 输出电容（COUT）的设计

输出电容的作用是平滑输出电压纹波，并在负载瞬变时提供或吸收瞬时电流。

容值与材质：推荐使用10µF的陶瓷电容。和输入电容一样，低ESR是关键。同样需要注意电压额定值和直流偏压特性。
纹波电压计算：输出电压纹波由两部分组成：电容充放电引起的纹波和电容ESR引起的纹波。公式相对复杂，但对于陶瓷电容（ESR极小，通常仅几毫欧），纹波主要由容值决定。使用推荐值10µF和1.5µH电感，在PWM模式下，纹波通常可以控制在十几毫伏以内，完全满足数字电路要求。
RMS电流应力：输出电容也需要承受一定的纹波电流。对于陶瓷电容，其RMS电流额定值通常很高，一般不会成为瓶颈，但选型时仍需确认。
布局：输出电容同样需要靠近芯片的Lx（开关节点）和输出端。FB引脚的采样点必须放在输出电容之后，最理想的是直接连接在输出电容的两个焊盘上，以确保采样到的是最纯净、最稳定的输出电压。

3.4 LDO的输入输出电容

LDO对电容的要求比DCDC宽松，但仍有讲究。

输入电容（CIN_LDO）：推荐2.2µF。主要用于滤除输入电源上的噪声。如果LDO的输入来自某个DCDC的输出，那么这个电容还能帮助抑制DCDC的开关噪声，提升LDO的电源抑制比（PSRR）。
输出电容（COUT_LDO）：同样推荐2.2µF。它对于LDO的稳定性至关重要。TPS65708的LDO是针对陶瓷电容优化的，使用2.2µF足以保证在任何负载条件下稳定工作，无振荡风险。切勿使用过大容值的电容（如100µF电解电容），这可能导致启动缓慢或稳定性问题。

注意事项：电容的直流偏压效应这是使用多层陶瓷电容（MLCC）时一个隐蔽的“杀手”。陶瓷电容的标称容值是在0直流偏压下测得的。当施加直流电压后，其实际容值会显著下降，尤其是X5R、X7R这类II类介质材料。例如，一个标称10µF/6.3V的X5R电容，在施加5V直流电压后，实际容值可能只剩下5-6µF。因此，在选型时，必须查阅制造商提供的直流偏压特性曲线，确保在你的工作电压下，电容的实际容值仍能满足设计要求（如不低于7µF）。稳妥起见，可以选择电压额定值更高一档的电容（如用10V额定电压代替6.3V），或者选择容值更大的型号（如15µF或22µF）来补偿偏压损失。

4. PCB布局与散热设计核心要点

对于TPS65708这类高频、集成的PMU，PCB布局的好坏直接决定了电源性能的优劣，甚至是成败。

4.1 关键电流回路与接地策略

开关电源布局的核心原则是：识别并最小化高频、大电流的回路面积。

功率回路（Hot Loop）：对于每个DCDC，都存在一个高频开关电流回路：输入电容（CIN）正极 → 芯片内部高边MOSFET → 电感（L） → 输出电容（COUT）正极 → 输出电容地 → 芯片内部低边MOSFET（或体二极管）→ 输入电容地。这个回路电流变化率（di/dt）极大，是噪声和EMI的主要来源。
- 布局目标：必须使这个回路的物理走线尽可能短、宽，面积最小。理想情况是，输入电容、芯片、电感和输出电容紧密排列，并使用完整的电源层和地层作为电流路径。
接地策略：TPS65708有独立的功率地（PGND1, PGND2）引脚。必须将PGND引脚直接连接到输入/输出电容的接地端，并通过过孔连接到PCB的接地平面。这个连接点应该是“静点”，避免大开关电流流过。芯片的模拟地（AGND）在内部通常已做处理，外部我们只需保证功率地干净、低阻抗。
反馈网络（FB）走线：这是最敏感的模拟走线。必须远离任何噪声源，如电感、开关节点（Lx引脚）走线。走线要短而直，最好在PCB内层用地平面包裹（微带线结构）以屏蔽噪声。绝对不要将FB走线布设在开关电流回路附近。

4.2 热设计与散热过孔

TPS65708采用DSBGA（晶圆级芯片尺寸封装），尺寸仅2mm x 2mm。这种封装散热能力有限，其结到环境的热阻（RθJA）高达75°C/W。

功耗估算：假设DCDC1输出3.3V/300mA，输入5V，效率90%，��么DCDC1的功耗约为：P_loss = (5V * 0.3A / 0.9) - (3.3V * 0.3A) ≈ 0.167W。如果两路DCDC和LDO都接近满载，总功耗可能超过0.5W。
温升计算：在无额外散热条件下，仅靠封装自身散热，温升ΔT = P_loss * RθJA = 0.5W * 75°C/W = 37.5°C。如果环境温度��TA）为50°C，那么结温（TJ）将接近90°C，虽然未到125°C的极限，但已偏高。
散热措施：
1. 散热过孔阵列：在芯片底部的散热焊盘（如果封装有）下方，打一个密集的过孔阵列（例如3x3或4x4），将热量传导到PCB底层的大面积铜皮上。过孔要镀铜填满或塞油，以提升导热性。
2. 大面积铜皮：在芯片所在层和底层，围绕芯片铺设尽可能大的接地铜皮，并通过过孔阵列连接，共同散热。
3. 空气流动：在系统设计时，考虑让气流经过芯片上方。
4. 监控：在高温环境下满载应用，建议用热像仪或热电偶实测芯片表面温度，确保结温在安全范围内。

4.3 布局检查清单

完成布局后，请对照以下清单检查：

[ ] 输入电容是否紧靠芯片VIN和PGND引脚？
[ ] 电感是否靠近芯片Lx引脚？电感下方是否避免走敏感信号线？
[ ] 输出电容是否靠近电感输出端和芯片FB引脚？FB采样点是否在输出电容之后？
[ ] 所有大电流路径（电源输入、开关节点、电感输入输出）是否使用宽走线或铺铜？
[ ] PGND是否通过低阻抗路径（多个过孔）连接到完整的地平面？
[ ] FB走线是否短、直，并有地平面屏蔽？
[ ] 芯片底部是否有散热过孔阵列连接到各层地铜皮？
[ ] 电感、开关节点走线是否远离模拟电路、时钟线、复位线等敏感区域？

5. 上电时序、保护功能与故障排查

5.1 内部上电时序解析

TPS65708没有外部的使能引脚，其开启完全由VCC引脚上的电压通过内部UVLO电路控制。当VCC电压超过约3.6V（典型值）后，芯片内部按预设顺序启动各输出。出厂默认序列是：DCDC1 → LDO1 → DCDC2 → LDO2。每个电源轨达到稳定后，才会开启下一个。

这种设计对于相机模块非常有用。例如，可以先用3.3V（DCDC1）给数字核心上电并完成初始化，再用2.8V（LDO1）给传感器模拟部分上电，接着用1.8V（DCDC2）给I/O和内存上电，最后用1.2V（LDO2）给核心逻辑上电。这种顺序可以防止闩锁效应，并确保各模块在正确的电压下启动。

如果你需要不同的上电顺序（例如先启动传感器核心），需要在芯片订货时向TI申请定制（工厂编程）。对于大多数应用，默认序列是合理且安全的。

5.2 关键保护功能详解

欠压锁定（UVLO）：当VCC电压低于约3.5V（有130mV迟滞）时，芯片会关闭所有输出（DCDC和LDO），并进入低功耗关断模式（Shutdown Current典型值仅6µA）。这防止了电池在电压过低时被过度放电，也确保了芯片在电压不足时不会异常工作。
过流/短路保护：每路DCDC和LDO都有逐周期电流限制。DCDC的峰值电流限制典型值为820mA。如果输出持续短路，芯片会限制输出电流，防止损坏。这是一种“打嗝”式保护，并非锁死。
热关断（TSD）：当任何一路DCDC或LDO的结温超过150°C（典型值）时，该路输出会被关闭。当温度下降约30°C后，芯片会重新按序列启动。这为芯片提供了终极保护。触发热关断通常意味着：a) 负载过重；b) 散热设计失败；c) 环境温度过高。
输出放电：当VCC电压低于UVLO阈值时，芯片内部会通过一个约400Ω的电阻（典型值）将DCDC和LDO的输出电容放电到地。这确保了系统快速、安全地关机，防止残留电压导致未知状态。

5.3 常见问题与排查实录

在实际调试中，你可能会遇到以下问题：

问题1：某一路输出无电压或电压不正确。

排查步骤：
1. 测量输入：首先确认VCC、VINx、VINLDOx引脚电压是否正常（>3.6V）。
2. 检查使能：确认MODE引脚电平符合预期（高或低）。用示波器抓取VCC上电波形，看UVLO是否正常触发。
3. 检查反馈：对于DCDC，用万用表测量FB引脚电压。如果FB引脚悬空或走线断裂，芯片会因检测不到输出电压而关闭。FB引脚电压应约为内部基准电压（约0.6V-0.8V，具体看设计）。如果FB电压为0，检查FB到输出的走线。
4. 检查功率元件：测量电感两端是否有开关波形。如果没有，可能是芯片损坏或焊接问题。如果有开关波形但输出电压低，检查电感是否饱和（用电感表在板测量或替换）、输出电容是否短路。
5. 测量静态阻抗：断电，用万用表二极管档测量输出端对地阻抗，排除短路。

问题2：系统工作不稳定，偶尔重启，或图像出现条纹噪声。

排查步骤：
1. 检查输入电源纹波：用示波器交流耦合档，带宽全开，观察VIN上的电压纹波。过大纹波（>100mV）可能来自前级电源能力不足或输入电容ESR过大/布局不佳。
2. 检查输出纹波和噪声：这是重点。用示波器（最好使用接地弹簧代替长地线夹）测量各路输出电压的纹波。在PWM模式下，应有稳定的、频率为2.25MHz的锯齿状纹波。如果纹波异常大（如>50mV），检查输出电容的容值和布局。特别注意PFM模式下的低频纹波，其频率可能随负载变化，虽然幅度小，但若频率落在图像传感器的行频或帧频附近，可能被调制进图像形成固定模式噪声。
3. 检查热稳定性：运行一段时间后，用手触摸芯片是否异常发烫。发烫可能导致热关断重启。检查负载电流是否超限，并改善散热。
4. 检查地噪声：用示波器两个通道，分别探测芯片PGND引脚和远处“安静地”之间的电压差。过大的地噪声会干扰芯片内部模拟电路。

问题3：LED驱动（ISINK）不亮或亮度不可调。

排查步骤：
1. 确认LED连接：LED阳极接的电源电压（如5V或3.3V）是否高于其正向电压（Vf）加上ISINK引脚的最小压降（0.4V@7.5mA）？例如，对于Vf=3.0V的LED，阳极至少需要接3.4V。
2. 检查PWM信号：用示波器看PWM引脚是否有来自MCU的、幅度足够（>1.2V为高）、频率不超过50kHz的方波？MCU的GPIO是否已正确配置为推挽输出？
3. 测量ISINK电压：在PWM为高时，测量ISINK引脚对地电压。它应该是一个很低的电压（约零点几伏）。如果接近阳极电压，说明ISINK内部开路（可能损坏）；如果为0，可能是LED接反或短路。

问题4：轻载时效率不如预期，或输出电压偏高。

原因分析：这很可能与Power Save Mode（PSM）的动态电压定位（Dynamic Voltage Positioning）功能有关。在PSM（PFM）模式下，芯片会将输出电压调节到比额定值高约1%。例如，3.3V输出在轻载时可能为3.333V。这是故意为之，目的是为负载突增时预留电压裕量，减少跌落。这不是故障，而是特性。如果无法接受，可以将MODE引脚拉高，强制进入PWM模式，此时电压精度为±1.5%，且无电压抬升。

6. 设计验证与测试方法

完成原理图和PCB设计后，必须经过严谨的测试才能投入批量生产。

6.1 静态测试

上电与功耗：缓慢提升输入电压，用万用表观察各路上电顺序和最终电压值是否与预设一致（3.3V， 1.8V， 2.8V， 1.2V）。测量芯片的总输入电流，估算静态功耗。
纹波与噪声测试：这是重中之重。使用带宽≥100MHz的示波器，启用带宽限制（20MHz）以模拟真实系统对噪声的响应。使用接地弹簧或最短的接地路径连接探头。分别测量各路输出在空载、半载、满载条件下的纹波峰峰值。记录PWM模式和PFM模式下的纹波波形和频谱（如果示波器有FFT功能）。

6.2 动态测试

负载瞬态响应：使用电子负载或MOSFET开关电��，在输出端施加一个快速的负载阶跃（例如从10%负载跳到90%负载，上升时间<1µs）。用示波器观察输出电压的跌落（Undershoot）和过冲（Overshoot）以及恢复时间。这反映了电源的动态响应能力。TPS65708采用快速响应电压模式，表现通常不错。
线性瞬态响应：快速改变输入电压（如在4.2V和5V之间切换），观察输出电压是否稳定。

6.3 系统兼容性测试

图像质量测试：将PMU接入实际的相机模块系统。在暗室中，观察不同电源模式（PWM/PFM）、不同负载场景下，图像是否存在固定模式的横纹、竖纹、噪点增加等问题。这是最终的性能验收标准。
EMI预扫描：如果条件允许，在屏蔽室或使用近场探头，扫描芯片、电感、开关节点等区域的辐射噪声，确保其不会干扰系统中的无线模块（如Wi-Fi， Bluetooth）或其他敏感电路。

电源设计，尤其是高集成度PMU的应用，是一门在理论计算和工程实践之间不断权衡的艺术。TPS65708以其高度的集成度和优秀的性能，为嵌入式相机这类紧凑型应用提供了一个近乎“交钥匙”的电源解决方案。然而，再好的芯片也离不开用心的外围设计和严谨的布局布线。理解其内部原理，尊重数据手册的指导，特别是关注那些容易被忽略的细节（如电容的直流偏压、电感的饱和电流、FB的走线），才能让它发挥出全部潜力，为你的产品提供一个安静、高效、可靠的“能量心脏”。在实际项目中，养成记录测试数据、对比不同物料、分析故障现象的习惯，这些经验积累会让你在面对更复杂的电源架构时也能游刃有余。