该机型隶属 Thermo Fisher（原 FEI）聚焦离子束研磨系统（FIB, Focused Ion Beam），核心搭载 Ga⁺液态金属离子源（LMIS），离子加速电压区间 0.5kV\30kV 连续可调，成像模式低束流 1pA\1nA，精密研磨高束流最高 60nA；离子束成像分辨率 7nm@30kV 工况，适配半导体晶圆截面制样、BGA 焊球剖面剖析、MEMS 器件精细剥离加工。真空系统配置干泵 + 分子泵机组，腔体极限本底真空优于 8×10⁻⁷Torr，工作真空稳定维持 1×10⁻⁶\5×10⁻⁶Torr；样品台支持 0°\90° 倾角调节、360° 面内自转，单次承载最大 6 英寸晶圆试样，搭配低温制冷基座规避离子轰击热损伤。整机集成 GIS 气体注入系统，可实现 Pt、SiO₂气相沉积补强刻蚀区域，配套原位 SEM 二次电子同步观测。
二手设备日常保养：每日开机前校验真空检漏，每周清洁离子枪隔离阀、更换分子筛吸附剂；每月校准离子束对中、样品台运动重复定位精度；每季度检测 Ga 离子源发射稳定性，清理腔体内壁溅射沉积物；闲置期间保持腔体低真空封存，杜绝水汽氧化污染镜筒光路。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。
免责声明（Disclaimer）
一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）
本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。
