一、产品概述
RB6008A 是晶准推出的单节锂离子 / 锂聚合物电池保护芯片，内部集成功率 MOSFET，导通内阻典型 16mΩ。芯片完整实现锂电池全套保护功能：充电过压、充电过流、放电过压、多档位放电过流、负载短路、芯片过温保护。外围仅需 1 颗电阻 + 1 颗电容即可工作，外围极简；采用 DFN2×3‑8 超小型贴片封装，裸焊盘 EPAD 需要与 GND 相连，符合 RoHS 无铅标准，主要用于单串锂电池包保护板。
二、关键电气参数
- 电压阈值
- 过充检测：4.44V；过充解除：4.25V
- 过放检测：2.55V；过放解除：3.05V
- 电流保护（三重放电过流检测）
- 过放电流 1 典型 7.5A；过放电流 2 典型 12A；短路保护典型 20A；充电过流典型 8A
- 功耗
- 工作静态电流典型 3.5μA；休眠电流典型 1.0μA，功耗极低；
- 温度保护：过温保护点 150℃，释放温度 120℃；
- 极限电气：VDD 最大 8V，VM 引脚‑5~10V，最大功耗 600mW。
三、引脚定义（DFN2×3‑8）
- VDD：电池电压检测电源；
- GND：电芯负极；
5/6/7. VM：充放电负端检测；
2/3/8. NC：空脚； - EPAD：散热功率地，必须接 GND。
外围最简配置：电池正极串 100Ω 电阻接 VDD，VDD‑GND 并联 0.1μF 电容；VM 接电池输出负端 P‑。
四、工作模式与保护逻辑
四种工作状态：正常模式、充电模式、放电模式、休眠模式。
- 过充保护：电池电压＞4.44V 且延时 100ms，关断充电通路；电压回落至 4.25V 恢复。
- 过放保护：电池电压＜2.55V 延时 100ms 切断放电；电压回升 3.05V 恢复；电压低于 2.2V 进入休眠，休眠电流仅 1μA。
- 三重放电过流：IOCI1（7.5A，8ms 延时）、IOCI2（12A，2ms 延时）、短路保护 20A（150μS 极快保护）；过流 / 短路之后满足 VM 电平条件自动复位。
- 充电过流：充电电流超过 8A，关断充电通路。
- 过温保护：芯片结温 150℃关断充放电，降温至 120℃恢复。
五、PCB 设计要点
- DFN2×3‑8 封装，底部 EPAD 焊盘务必和 GND 可靠焊接，保证散热；
- VDD 外部 100R 电阻、0.1μF 电容就近摆放；
- VM 走线尽量短，保证电流采样检测精度；
- 功率回路铜皮加宽，降低 MOS 发热。
六、产品核心亮点
- 内置 16mΩ 低 Rds (on) 功率 MOS，省去外部 MOS，BOM 精简；外围只需要 1R+1C，方案极简；
- 三重放电过流 + 短路保护，多档电流阈值，兼顾抗冲击与短路快速切断；
- 微安级工作 / 休眠电流，极大降低电池自耗电；
- 集成过充、过放、充放电过流、短路、芯片过热全套保护；
- DFN2×3‑8 小尺寸封装，适合空间受限的单串锂电池模组。
七、典型应用场景
单节锂电池保护板、单串锂聚合物电池组、小型消费类锂电池产品。
八、产品小结
RB6008A 为晶准单串锂电集成保护 IC，DFN2×3‑8 封装，内置 16mΩ MOS；具备过充、过放、充放电过流、短路、热保护，三重放电过流检测；静态 3.5μA、休眠 1μA 超低功耗，外围仅一阻一容，非常适合单节锂 / 锂聚合物电池包保护。
