1. 为什么我要整理这份电容容值表
干了十几年硬件，画过的板子少说也有几百块，从消费电子到工业控制都摸过一遍。你要问我最烦的事情是什么，不是布线，不是调EMC，而是每次选电容的时候都要在脑子里做一次单位换算。10nF等于多少pF？0.1uF又等于多少nF？104、103、222这些丝印到底代表多大的容值？每次都要愣一下，甚至有时候还要掏出手机算一下。更别提那些用三位数字编码的贴片电容，刚入行的朋友看到“104”这种丝印，脑子里第一反应是“一百零四”，实际上人家是100nF，也就是0.1uF。
这份电容容值表就是在这种背景下整理出来的。它解决的核心问题只有一个：让你在选电容、看丝印、做BOM的时候，不用再反复换算单位，不用再翻数据手册，一眼就能对上号。不管你是刚入行的硬件助理，还是做了几年的嵌入式工程师，甚至是维修师傅拿着万用表测电容，这份表都能帮你省下不少时间。
我整理的原则很简单：覆盖常用容值范围，从1pF到1000uF，把pF、nF、uF三个单位的对应关系列清楚，同时把贴片电容的三位编码规则也一并整理进去。另外，我会把电容选型时容易踩的坑、不同介质材料的特性、以及实际使用中需要注意的事项都写进去。毕竟光有一张表不够，你得知道什么时候该用什么电容，为什么这个位置要用X7R而不是Y5V，为什么有些地方必须用C0G。
这篇文章适合所有跟电路打交道的人。不管你是画原理图的、做PCB layout的、写嵌入式驱动的，还是修家电的，只要你会碰到电容，这份内容就有参考价值。我会尽量用大白话把原理讲清楚，同时把实操中积累的经验也分享出来，让你少走弯路。
2. 电容容值表的核心内容与单位换算逻辑
2.1 基本单位关系与常用容值对照
电容的基本单位是法拉（F），但这个单位太大了，实际电路中常用的都是它的衍生单位。先把最基础的换算关系理清楚：
- 1法拉（F）= 1000毫法（mF）
- 1毫法（mF）= 1000微法（uF）
- 1微法（uF）= 1000纳法（nF）
- 1纳法（nF）= 1000皮法（pF）
记住这个千进制关系，后面所有的换算都从这里推导。实际工作中，我们最常打交道的范围是1pF到1000uF，再大的就是超级电容了，那是另一个话题。
下面这张表是我整理的核心容值对照表，涵盖了从1pF到1000uF的常用值，以及对应的贴片电容三位编码。这张表你可以直接存手机里，选型的时候翻出来看一眼就行。
| 容值（pF） | 容值（nF） | 容值（uF） | 贴片三位编码 | 常见用途 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 0.001 | 0.000001 | 1R0 | 高频匹配 |
| 2 | 0.002 | 0.000002 | 2R0 | 高频匹配 |
| 3 | 0.003 | 0.000003 | 3R0 | 高频匹配 |
| 5 | 0.005 | 0.000005 | 5R0 | 高频匹配 |
| 10 | 0.01 | 0.00001 | 100 | 高频滤波 |
| 12 | 0.012 | 0.000012 | 120 | 晶振匹配 |
| 15 | 0.015 | 0.000015 | 150 | 晶振匹配 |
| 18 | 0.018 | 0.000018 | 180 | 晶振匹配 |
| 20 | 0.02 | 0.00002 | 200 | 高频滤波 |
| 22 | 0.022 | 0.000022 | 220 | 晶振匹配 |
| 27 | 0.027 | 0.000027 | 270 | 晶振匹配 |
| 30 | 0.03 | 0.00003 | 300 | 高频滤波 |
| 33 | 0.033 | 0.000033 | 330 | 晶振匹配 |
| 47 | 0.047 | 0.000047 | 470 | 高频滤波 |
| 68 | 0.068 | 0.000068 | 680 | 高频滤波 |
| 100 | 0.1 | 0.0001 | 101 | 高频旁路 |
| 150 | 0.15 | 0.00015 | 151 | 高频旁路 |
| 220 | 0.22 | 0.00022 | 221 | 高频旁路 |
| 330 | 0.33 | 0.00033 | 331 | 高频旁路 |
| 470 | 0.47 | 0.00047 | 471 | 高频旁路 |
| 680 | 0.68 | 0.00068 | 681 | 高频旁路 |
| 1000 | 1 | 0.001 | 102 | 低频旁路 |
| 1500 | 1.5 | 0.0015 | 152 | 低频旁路 |
| 2200 | 2.2 | 0.0022 | 222 | 低频旁路 |
| 3300 | 3.3 | 0.0033 | 332 | 低频旁路 |
| 4700 | 4.7 | 0.0047 | 472 | 低频旁路 |
| 6800 | 6.8 | 0.0068 | 682 | 低频旁路 |
| 10000 | 10 | 0.01 | 103 | 电源滤波 |
| 15000 | 15 | 0.015 | 153 | 电源滤波 |
| 22000 | 22 | 0.022 | 223 | 电源滤波 |
| 33000 | 33 | 0.033 | 333 | 电源滤波 |
| 47000 | 47 | 0.047 | 473 | 电源滤波 |
| 68000 | 68 | 0.068 | 683 | 电源滤波 |
| 100000 | 100 | 0.1 | 104 | 电源去耦 |
| 150000 | 150 | 0.15 | 154 | 电源去耦 |
| 220000 | 220 | 0.22 | 224 | 电源去耦 |
| 330000 | 330 | 0.33 | 334 | 电源去耦 |
| 470000 | 470 | 0.47 | 474 | 电源去耦 |
| 680000 | 680 | 0.68 | 684 | 电源去耦 |
| 1000000 | 1000 | 1 | 105 | 电源储能 |
| - | - | 2.2 | 225 | 电源储能 |
| - | - | 4.7 | 475 | 电源储能 |
| - | - | 10 | 106 | 电源储能 |
| - | - | 22 | 226 | 电源储能 |
| - | - | 47 | 476 | 电源储能 |
| - | - | 100 | 107 | 电源储能 |
| - | - | 220 | 227 | 电源储能 |
| - | - | 470 | 477 | 电源储能 |
| - | - | 1000 | 108 | 电源储能 |
这张表看起来简单，但里面有几个关键点需要展开说。首先是三位编码的规则：前两位是有效数字，第三位是10的幂次。比如104，就是10乘以10的4次方，等于100000pF，也就是100nF，也就是0.1uF。再比如223，就是22乘以10的3次方，等于22000pF，也就是22nF，也就是0.022uF。这个规则适用于绝大多数贴片电容，但要注意，有些厂家会用R来表示小数点，比如1R0就是1.0pF，4R7就是4.7pF。
2.2 三位编码的快速识别技巧
很多新手看到三位编码会懵，其实有个快速心算的方法。你只要记住几个锚点值，其他的都能推出来。104是0.1uF，这是最常用的，必须记住。103是0.01uF，102是0.001uF，105是1uF，106是10uF。这几个锚点记住之后，其他的编码你都可以通过移动小数点来推算。
比如你看到474，先看前两位47，第三位是4，那就是47乘以10的4次方，等于470000pF，也就是470nF，也就是0.47uF。再比如你看到225，前两位22，第三位是5，那就是22乘以10的5次方，等于2200000pF，也就是2200nF，也就是2.2uF。这个方法熟练之后，看到编码基本上一秒钟就能反应过来。
还有一个容易混淆的地方：有些电容的丝印是两位数或者一位数，比如“10”或者“47”。这种情况下，通常默认单位是pF，也就是10pF和47pF。但也有一些老式的电容会用nF作为单位，所以看到这种丝印的时候，最好用万用表测一下，或者查一下数据手册确认。
注意：不同厂家对三位编码的执行标准可能略有差异，尤其是小容值电容。比如有些厂家会把1pF标成“1R0”，有些则标成“010”。遇到不确定的情况，一定要查规格书，不要凭经验猜。
2.3 不同介质材料的容值稳定性
光知道容值还不够，你还得知道这个电容用什么介质做的。同样是0.1uF，C0G材质和Y5V材质的性能天差地别。C0G的容值几乎不随温度、电压和时间变化，而Y5V的容值可能在你加了额定电压之后直接掉一半。这个差异在选型的时候必须考虑进去。
| 介质类型 | 温度特性 | 容值稳定性 | 典型应用 |
|---|---|---|---|
| C0G/NP0 | 极稳定 | 极高 | 晶振匹配、高频滤波、精密电路 |
| X7R | 较稳定 | 较高 | 电源去耦、一般滤波 |
| X5R | 一般 | 中等 | 电源去耦、低频滤波 |
| Y5V | 差 | 低 | 对成本敏感、对稳定性要求低的场合 |
| 电解电容 | 较差 | 低 | 电源储能、大容量滤波 |
C0G材质的电容，温度系数是0±30ppm/°C，基本上你把它放在-55°C到125°C的环境里，容值变化可以忽略不计。X7R的温度范围是-55°C到125°C，容值变化在±15%以内。X5R的温度范围是-55°C到85°C，容值变化在±15%以内。Y5V就惨了，温度范围-30°C到85°C，容值变化可以达到+22%到-82%，而且加电压之后容值还会进一步下降。
我见过太多案例，工程师在电源去耦位置用了Y5V的电容，结果批量生产的时候发现纹波超标，查了半天才发现是电容容值在高温下掉得太厉害。所以我的建议是：电源去耦至少用X7R，精密电路和高频电路必须用C0G，Y5V只用在那些对容值精度完全没有要求的场合。
3. 电容选型与实操中的关键细节
3.1 不同电路位置该选什么电容
电容选型不是只看容值，还要看位置。同一个容值，放在不同的电路位置，要求完全不一样。我按常见的电路位置来分类说明。
电源输入滤波：这个位置通常用大容量的电解电容或者钽电容，配合小容值的陶瓷电容。电解电容负责低频滤波，陶瓷电容负责高频滤波。比如12V输入，我会放一个100uF的电解电容，再并一个0.1uF的X7R陶瓷电容。电解电容的ESR比较大，对高频噪声抑制效果差，所以必须并一个小容值的陶瓷电容来补高频。
芯片电源引脚去耦：每个芯片的电源引脚旁边都要放一个0.1uF的陶瓷电容，这是标配。有些高速芯片还会要求放一个1uF或者10uF的电容。这个位置的电容必须用X7R或者X5R，不能用Y5V。而且布局的时候要尽量靠近芯片引脚，走线越短越好。我见过有人把去耦电容放在芯片背面，通过过孔连接，效果也还可以，但最好还是放在同一面，直接连到引脚上。
晶振匹配：晶振旁边的两个电容通常用C0G材质，容值根据晶振的负载电容来定。常见的负载电容是12pF、15pF、18pF、20pF。如果你不确定，可以先放两个22pF的C0G电容，然后根据实际频率偏差来调整。这里千万不能用X7R或者Y5V，因为容值不稳定会导致晶振频率漂移。
复位电路：复位引脚旁边的电容通常用0.1uF或者1uF，材质用X7R就行。这个位置对容值精度要求不高，但对可靠性要求高，所以不要用Y5V。
模拟电路滤波：模拟电路对噪声敏感，滤波电容建议用C0G或者X7R，容值根据滤波频率来算。比如你要滤掉1kHz以上的噪声，可以用一个10uF的X7R电容配合一个0.1uF的C0G电容。
功率电路储能：比如DC-DC转换器的输入输出电容，通常用大容量的陶瓷电容或者电解电容。陶瓷电容的ESR低，纹波电流承受能力强，但容值随电压下降明显。电解电容容值大，但ESR高。实际选型的时候要算一下纹波电流和容值需求，然后决定用哪种。
3.2 电容的ESR与频率特性
ESR是等效串联电阻，这个参数在高频电路里特别重要。理想的电容阻抗是随频率升高而降低的，但实际上因为ESR和ESL的存在，电容的阻抗曲线是一个V字形。在谐振频率之前，容抗主导，阻抗随频率升高而降低；在谐振频率之后，感抗主导，阻抗随频率升高而升高。谐振频率就是容抗和感抗相等的那一点，此时阻抗等于ESR。
这个特性决定了电容的滤波效果。比如一个0.1uF的陶瓷电容，谐振频率大概在10MHz左右，所以在10MHz附近它的滤波效果最好。如果你要滤掉100MHz的噪声，0.1uF可能就不够了，需要用更小容值的电容，比如100pF或者10pF，因为它们的谐振频率更高。
电解电容的ESR比较大，通常在几十毫欧到几欧姆之间，所以它的谐振频率比较低，大概在几百kHz。这就是为什么电源滤波要用电解电容配合陶瓷电容，因为电解电容负责低频段，陶瓷电容负责高频段，两者互补。
如果你用LTspice仿真电容的ESR曲线，可以很直观地看到这个V字形。仿真的时候，你需要给电容模型加上ESR和ESL参数。LTspice自带的电容模型只有容值，没有寄生参数，所以你需要自己建一个模型，或者用厂家提供的SPICE模型。我通常的做法是：在电容上串联一个电阻（ESR）和一个电感（ESL），然后跑AC扫描，看阻抗曲线。
提示：实际电容的ESR和ESL跟封装尺寸、介质材料、额定电压都有关系。一般来说，封装越小，ESL越小；额定电压越高，ESR越大。选型的时候要综合考虑。
3.3 电容串联分压不均衡的问题
电容串联可以提高耐压，但如果不做均压处理，分压会不均衡。原因是每个电容的漏电流不一样，漏电流小的电容分到的电压高，漏电流大的电容分到的电压低。如果分压严重不均衡，某个电容可能会超过额定电压而击穿。
解决方法是给每个串联的电容并联一个均压电阻。均压电阻的阻值要远小于电容的漏电阻，这样电压就主要由均压电阻决定，而不是由漏电流决定。均压电阻的阻值计算方法是：先确定均压电阻上的电流，通常取漏电流的10倍以上，然后根据电压算出阻值。比如两个100uF/50V的电容串联，漏电流假设是10uA，均压电阻上的电流取100uA，那么均压电阻就是50V除以100uA，等于500kΩ。实际选型的时候，可以用两个470kΩ的电阻。
均压电阻的功率也要算一下。50V的电压加在470kΩ的电阻上，功率是50乘以50除以470000，约等于5.3mW，用0603封装的电阻就够了。但要注意，均压电阻会消耗一定的功率，如果电容组是长期工作的，这个功耗要考虑进去。
3.4 自举电容和消隐电容的选型要点
自举电容用在栅极驱动电路里，作用是给高边开关提供浮地的驱动电压。选型的时候要注意几点：容值要足够大，能提供足够的栅极电荷；耐压要足够高，至少要能承受高边开关的电压；ESR要低，保证快速充放电。通常用0.1uF到1uF的X7R陶瓷电容，耐压根据电路电压来定。
消隐电容用在DESAT保护电路里，作用是滤掉开关瞬间的尖峰噪声，防止误触发保护。选型的时候要注意：容值不能太大，否则会延迟保护响应；也不能太小，否则滤不掉噪声。通常用100pF到1nF的C0G电容。这个电容的布局很关键，要尽量靠近比较器的输入端，走线越短越好。
4. 实操中常见的电容问题与排查方法
4.1 电容失效的典型表现与原因
电容失效是硬件调试中最常见的问题之一。我总结了几种典型的失效表现和对应的原因。
容值衰减：最常见的是陶瓷电容在加了直流偏压之后容值下降。比如一个0.1uF的X7R电容，在加了50V直流电压之后，容值可能只剩下30nF。这个现象叫直流偏压效应，高介电常数的陶瓷电容特别明显。解决办法是降额使用，或者换用更大容值的电容，或者换用C0G材质。
短路：陶瓷电容在受到机械应力或者热应力之后可能会开裂，导致短路。比如PCB弯曲、螺丝拧得太紧、回流焊温度曲线不对，都可能让电容开裂。解决办法是优化PCB布局，避免把电容放在板边或者螺丝孔附近；调整回流焊温度曲线，减少热冲击。
漏电流增大：电解电容在高温下长期工作，电解液会干涸，导致漏电流增大、容值下降。解决办法是选耐高温的电解电容，或者用固态电容替代。固态电容的寿命比电解电容长很多，但价格也贵一些。
ESR增大：电解电容的ESR会随着时间增大，导致滤波效果变差。如果你发现电源纹波越来越大，但容值看起来还正常，那很可能是ESR增大了。用万用表测不出来，需要用LCR表或者ESR表测。
4.2 万用表测电容的注意事项
万用表测电容的原理是给电容充电，然后测量充电时间，根据时间常数算出容值。这个方法对小容值电容比较准，对大容值电容就不太准了。而且万用表的测试频率比较低，测出来的容值跟实际工作频率下的容值可能有差异。
测电容之前，一定要先放电。特别是大容值的电解电容，里面存的电荷可能会损坏万用表，甚至电到你。放电的方法是用一个电阻跨接在电容两端，等几秒钟。电阻的阻值可以用1kΩ到10kΩ，功率不用太大，1/4W就够了。
测小容值电容的时候，要注意表笔的寄生电容。表笔本身有几十pF的电容，如果你测一个10pF的电容，表笔的寄生电容会严重影响测量结果。解决办法是先用表笔短路，记下读数，然后测电容，再减去这个读数。或者用带相对测量功能的万用表，先归零再测。
测电解电容的时候，要注意极性。电解电容有正负极，接反了测出来不准，还可能损坏电容。万用表的红表笔通常接正极，黑表笔接负极。如果你不确定极性，可以看电容外壳上的标记，通常有一条色带标负极。
4.3 EMC整改中电容的妙用与误区
EMC整改是很多硬件工程师的噩梦。电容在EMC整改中扮演着重要角色，但用错了反而会加重问题。
Y电容：Y电容用在交流电源的输入侧，跨接在火线和地线之间，或者零线和地线之间，作用是滤掉共模噪声。Y电容的容值不能太大，否则漏电流会超标。通常用1nF到4.7nF，耐压要满足安规要求。Y电容必须用安规认证的型号，不能用普通电容替代。
X电容：X电容跨接在火线和零线之间，作用是滤掉差模噪声。容值通常用0.1uF到1uF，耐压也要满足安规要求。
缝合电容：缝合电容用在PCB的地平面上，作用是连接不同的地网络，减少地平面之间的噪声。缝合电容通常用0.1uF或者1nF，放在地平面分割的缝隙附近。但要注意，缝合电容不是万能的，如果地平面分割不合理，加再多缝合电容也没用。
PCB地与金属壳体之间加电容：这个问题在热词里出现了，我专门说一下。在PCB地和金属壳体之间加一个大电容，理论上可以旁路高频噪声到壳体，减少辐射。但实际上，这个电容的效果取决于壳体的接地方式和噪声频率。如果壳体是浮地的，加电容反而可能让壳体成为天线，加重辐射。如果壳体是接地的，加电容可以起到一定的旁路作用，但容值要选对，通常用1nF到10nF，太大反而可能引入低频噪声。我的建议是：先不加，测一下辐射，如果超标再加，加了之后再测，用数据说话。
注意：EMC整改没有万能药，电容只是工具之一。布局、屏蔽、滤波、接地，每一个环节都要考虑。不要指望加一个电容就能解决所有问题。
4.4 常见问题速查表
| 问题现象 | 可能原因 | 排查方法 | 解决方案 |
|---|---|---|---|
| 电源纹波大 | 去耦电容容值不足或ESR大 | 用示波器测纹波，用LCR表测电容 | 换更大容值或更低ESR的电容 |
| 晶振不起振 | 匹配电容容值不对 | 测晶振频率，调整匹配电容 | 换C0G电容，调整容值 |
| 复位不稳定 | 复位电容容值不对或漏电 | 测复位引脚波形 | 换X7R电容，检查布局 |
| 电容发热 | 纹波电流过大或ESR大 | 测电容温度，算纹波电流 | 换更大容值或更低ESR的电容 |
| 电容短路 | 机械应力导致开裂 | 目检电容外观，测阻抗 | 优化布局，调整焊接工艺 |
| EMC辐射超标 | 滤波电容选型或布局不当 | 近场探头扫描，定位噪声源 | 调整电容容值和位置 |
5. 电容选型的进阶经验与避坑指南
5.1 降额使用的具体计算方法
电容降额是提高可靠性的重要手段。不同类型的电容，降额要求不一样。陶瓷电容通常降额50%使用，也就是额定电压50V的电容，实际工作电压不要超过25V。电解电容通常降额80%使用，也就是额定电压50V的电容，实际工作电压不要超过40V。钽电容的降额要求更严格，通常降额50%以下，因为钽电容失效容易短路起火。
降额计算很简单：先确定电路的最大工作电压，然后除以降额系数，就是你需要选的额定电压。比如电路最大电压是12V，陶瓷电容降额50%，那额定电压至少是24V，实际选型的时候选25V或者50V的。电解电容降额80%，12V除以0.8等于15V，实际选型的时候选16V或者25V的。
但降额不是越大越好。额定电压越高的电容，体积越大，ESR也越大。所以要在可靠性和性能之间找平衡。我的经验是：陶瓷电容选25V或者50V的，电解电容选16V或者25V的，钽电容选16V或者20V的。具体还要看电路的实际需求。
5.2 电容布局的实操要点
电容布局对性能影响很大，特别是去耦电容和高频滤波电容。我总结了几条实操要点。
去耦电容要靠近芯片引脚：去耦电容的作用是给芯片提供瞬态电流，所以它必须靠近芯片的电源引脚。走线越长，寄生电感越大，去耦效果越差。一般来说，去耦电容和芯片引脚之间的走线不要超过5mm。如果实在放不下，可以放在芯片背面，通过过孔连接，但过孔的电感也要考虑进去。
高频滤波电容要靠近噪声源：高频滤波电容的作用是把噪声旁路到地，所以它必须靠近噪声源。比如DC-DC转换器的输入输出电容，要尽量靠近转换器的引脚。如果放得太远，噪声在走线上辐射出去，电容就起不到作用了。
大容量电容和小容量电容要配合使用：大容量电容负责低频，小容量电容负责高频。布局的时候，小容量电容要更靠近芯片，大容量电容可以稍微远一点。因为小容量电容的谐振频率更高，对高频噪声更有效。
电容的接地要短：电容的接地端要尽量短，最好直接连到地平面。如果通过长走线接地，走线的电感会严重影响高频性能。我通常的做法是：电容的接地端直接打过孔到地平面，过孔尽量靠近焊盘。
避免电容并联谐振：不同容值的电容并联时，可能会在某个频率上产生并联谐振，导致阻抗升高。比如一个0.1uF和一个1uF的电容并联，在某个频率上可能会谐振。解决办法是选择容值相差100倍以上的电容并联，或者用多个相同容值的电容并联。
5.3 超级电容与特殊电容的应用场景
超级电容的容值通常在法拉级别，用在需要大容量储能的场合，比如能量回收、备用电源、峰值功率补偿。超级电容的耐压比较低，通常只有2.7V或者5.5V，所以需要串联使用。串联的时候同样要考虑均压问题。
安规电容用在交流电源的输入侧，必须满足安规认证要求。X电容和Y电容的区别在于应用位置和失效模式。X电容失效后不会导致电击危险，Y电容失效后也不会导致电击危险，但Y电容的漏电流要求更严格。
前馈电容用在开关电源的反馈电路里，作用是改善动态响应。前馈电容的容值通常很小，几十pF到几百pF，材质用C0G。选型的时候要根据开关频率和反馈网络来计算。
电容倍增电路用有源器件模拟大容量电容，用在不能使用大容量电容的场合，比如集成电路内部。电容倍增电路的原理是用一个小电容和一个放大器，等效出一个大电容。这个电路在音频和传感器接口里比较常见。
5.4 从BOM到采购的实操建议
选好电容之后，还要考虑采购和库存。我的建议是：尽量选用通用容值和通用封装的电容，比如0.1uF的0603 X7R电容，这是最通用的，价格也便宜。特殊容值和特殊封装的电容，价格贵，交期长，还容易缺货。
BOM里要注明电容的容值、耐压、介质、封装、精度。精度通常用字母表示：C是±0.25pF，D是±0.5pF，J是±5%，K是±10%，M是±20%。去耦电容通常用K或者M，晶振匹配电容通常用C或者D。
采购的时候要注意区分原厂和副厂。原厂电容的参数一致性更好，可靠性更高，但价格也贵。副厂电容便宜，但参数可能偏差较大。我的经验是：关键位置用原厂，非关键位置可以用副厂。但不管用哪个，都要先测试验证。
提示：电容的包装方式也要注意。编带包装适合机器贴片，散装适合手工焊接。如果你是小批量生产，手工焊接，买散装的就行。如果是大批量生产，买编带的，效率高。
6. 我个人的实操体会
这份容值表我用了好几年，从最开始的手写笔记，到后来的Excel表格，再到现在的手机备忘录，形式一直在变，但核心内容没变。它帮我省下了大量换算时间，也帮我避免了很多选型错误。
我最大的体会是：电容选型不能只看容值，还要看介质、耐压、ESR、布局。同样是一个0.1uF的电容，C0G和Y5V的性能天差地别，放在不同的位置效果也完全不一样。所以这份表只是一个起点，真正重要的是理解电容的工作原理和电路的实际需求。
另外，我建议你养成一个习惯：每次选完电容，都在BOM里注明选型理由。比如“C12：0.1uF X7R 50V 0603，用于U1电源去耦，靠近引脚放置”。这样以后review的时候，或者别人接手的时候，都能快速理解你的设计意图。这个习惯我坚持了五年，受益良多。
最后分享一个小技巧：如果你不确定某个位置的电容该选多大，可以先放一个0.1uF的X7R电容，然后用示波器测波形，根据实际效果调整。大部分情况下，0.1uF都能满足需求。如果不行，再换更大或者更小的容值。这个方法虽然笨，但很有效。
暴力到O(n)高效解)
