简介：这份资源面向嵌入式开发者和电子爱好者，讲解基于 STM32 微控制器通过 IIC 总线协议驱动 INA226 高精度电流电压监测芯片的完整实现方案。内容包含 INA226 工作原理、内部寄存器配置方法（如采样电阻、电压量程、测量频率）、IIC 起始/停止条件与应答位处理，以及 HAL_I2C_Master_Transmit / Receive 等常用函数的具体调用思路，同时涉及 GPIO 初始化、外设时钟配置和超时错误回调等关键环节。强调从芯片特性到软件编码的闭环设计，适合需要为电池管理、电源监控或负载开关控制等场景添加精确电流采样的开发者参考。资源包为 7z 压缩格式，共 2 个文件，包含 1 个头文件与 1 个源文件，可直接用于工程移植与二次开发，包体仅 4KB，轻量实用。目前已有 6641 人学习下载，是社区验证过的参考代码，可帮助快速理解 IIC 通信协议实战要点并缩短 INA226 驱动开发周期。
1. 拆一个能直接抄的电流监测方案：STM32 通过 IIC 驱动 INA226
调一块电源板的时候，用 STM32 通过 IIC 去驱动 INA226 做电流监测，这条路我走过几遍。最常见的需求是：供电回路里串一个毫欧级分流电阻，让 INA226 实时采样，把总线电压、分流电压、电流、功率四个数值读回来，不用断开回路，精度还是 16 位。这套资源就是完整的驱动实现，从芯片初始化、寄存器读写、校准计算到数值换算都有现成代码，换一块分流电阻就能调整量程。适合做电池放电监测、电源板调试、充电器输出检测这类场景，正在被 IIC 通信问题卡住的朋友可以直接照着抄。
2. 硬件连接与通信架构：INA226 引脚、IIC 总线和寄存器模型
2.1 引脚功能与最小系统接线
INA226 是电压、电流、功率监测芯片，内部集成 16 位 ADC，通过 IIC 读取结果。它的外围很简单，核心输入是 VIN+ 和 VIN-。分流电阻的两个端点分别接在这两个引脚上，电流流过电阻产生的压降，芯片内部放大后量化为数字值。VIN+ 接负载侧，VIN- 接电源侧；电流方向反了也没关系，分流电压会读成负数，代码里按有符号数处理就行。VBUS 引脚接负载正端，用来测总线电压，比如测 12V 电源轨就把 VBUS 接到 12V 上。如果只关心电流，VBUS 留空也不会影响分流测量，总线电压寄存器会返回 0。
| 引脚 | 方向 | 作用 | 典型接法 |
|---|---|---|---|
| VS | 电源 | 芯片供电 | 2.7～5.5V，常用 3.3V |
| GND | 地 | 系统地 | 接电源地 |
| VIN+ | 采样 | 分流电阻高端 | 接负载侧 |
| VIN- | 采样 | 分流电阻低端 | 接电源侧 |
| VBUS | 采样 | 总线电压 | 接负载正端 |
| SCL/SDA | IIC | 时钟/数据 | 接 STM32，需上拉 |
| A0/A1 | 输入 | 地址选择 | 接 GND 或 VS |
| ALERT | 输出 | 告警输出 | 可选，接 GPIO 中断 |
IIC 两根线必须在总线上接上拉电阻，2.2k～4.7k 比较稳。STM32 内部上拉建议不要当外部上拉用，内部上拉阻值偏大，总线一旦挂多设备或走线长了就容易出现偶发通信失败。我在多个板子上遇到过「刚开始能读，跑几分钟后偶尔 NACK」的情况，最后查出来都是没接外部上拉。
2.2 IIC 地址怎么算：A0、A1 与 HAL 的 8 位地址参数
INA226 的从机地址由 A0、A1 两个引脚决定，一共 16 种组合。两个引脚都接地时，7 位地址是 0x40。A1 每拉高一个电平，地址加 2；A0 拉高，地址加 1，规则就是 0x40 + (A1 << 1) + A0。A0、A1 不要悬空，芯片内部虽然有下拉，但悬空状态容易受干扰，板子上老老实实接固定电位最省心。
| A1 | A0 | 7 位地址 |
|---|---|---|
| GND | GND | 0x40 |
| GND | VS | 0x41 |
| VS | GND | 0x42 |
| VS | VS | 0x43 |
后面还有 12 种组合按同样规律递增，最大到 0x4F。这里要注意一个老坑：HAL 库的 I2C 地址参数要的是 8 位地址，也就是 7 位地址左移一位。芯片手册和大多数驱动代码里写的 0x40 是 7 位地址，传到 HAL_I2C_Mem_Read 里必须写成 0x40 << 1，否则实际总线地址变成 0x20，芯片根本不应答。这个细节如果没注意，第一轮调试就会卡在「为什么老是 NACK」上。
2.3 寄存器模型：六个关键寄存器与完整读取时序
INA226 的寄存器表很规整，一个寄存器 16 位，通过 IIC 读写都要按大端序传字节。平时打交道的主要是下面六个：
| 寄存器 | 地址 | 用途 |
|---|---|---|
| Configuration | 0x00 | 采样模式、转换时间、平均次数 |
| Shunt Voltage | 0x01 | 分流电压，LSB=2.5µV，有符号 |
| Bus Voltage | 0x02 | 总线电压，LSB=1.25mV |
| Power | 0x03 | 功率，LSB=25×电流 LSB |
| Current | 0x04 | 电流，LSB=电流 LSB，有符号 |
| Calibration | 0x05 | 校准值，影响电流功率计算 |
调试时还有一个很有用的寄存器：0xFE 保存厂商 ID，固定是 0x5449，也就是 ASCII 码的 "TI"。通信初始化后回读这个值，能快速确认 IIC 链路和寄存器读写是否正常。
读取时序上，写寄存器是「先发寄存器地址字节，再发数据高字节、低字节」，读寄存器是「先写寄存器指针，再发读命令收两个字节」。HAL 库的 Mem 系列接口正好封装了这两段流程，只要把寄存器地址传进去，库内部自动完成指针写入再读写数据。
2.4 底层选型：硬件 IIC 还是 GPIO 模拟
STM32F1 的硬件 I2C 外设口碑不太好，网上大量文章吐槽状态机容易卡死，所以很多开发者直接上 GPIO 模拟。到了 HAL 库时代，硬件 IIC 的可用性改善不少，但 F1 上仍然偶尔有玄学问题。我的实践是：F0、F4、G0 这些后续内核，硬件 IIC 放心用；F1 上也能用，但要做错误恢复兜底。如果只是学习或排障，GPIO 模拟反而最可控，INA226 通信速率最高到 2.5MHz，GPIO 模拟跑 100kHz、400kHz 绰绰有余。
| 方式 | 优点 | 缺点 | 适合场景 |
|---|---|---|---|
| 硬件 IIC | CPU 占用低、代码少 | F1 偶发状态机卡死 | 量产、多从机 |
| GPIO 模拟 | 完全可控、不依赖外设 | 要自己写位时序 | 学习、排障、F1 |
下面的代码按 HAL 库硬件 IIC 来写，同时把读写封装成独立函数，想换成 GPIO 模拟只需要改这两个函数内部实现，上层业务不用动。
3. 核心代码实现：从寄存器读写到电流功率换算
3.1 寄存器读写封装
先搞定最底层的两个函数。所有上层逻辑都建立在它们之上，所以字节序和地址参数必须在这里一次做对。
#include "main.h" #include <stdio.h> #define INA226_ADDR 0x40 // 7 位从机地址，A0/A1 均接 GND #define INA226_REG_CFG 0x00 // 配置寄存器 #define INA226_REG_SHUNT 0x01 // 分流电压 #define INA226_REG_BUS 0x02 // 总线电压 #define INA226_REG_PWR 0x03 // 功率 #define INA226_REG_CUR 0x04 // 电流 #define INA226_REG_CAL 0x05 // 校准寄存器 static uint8_t INA226_WriteReg(uint8_t reg, uint16_t value) { uint8_t data[2]; data[0] = (value >> 8) & 0xFF; // 高字节在前，INA226 是大端序 data[1] = value & 0xFF; return HAL_I2C_Mem_Write(&hi2c1, INA226_ADDR << 1, // 8 位地址 reg, I2C_MEMADD_SIZE_8BIT, // 寄存器指针 1 字节 data, 2, 100); } static uint16_t INA226_ReadReg(uint8_t reg) { uint8_t data[2]; if (HAL_I2C_Mem_Read(&hi2c1, INA226_ADDR << 1, reg, I2C_MEMADD_SIZE_8BIT, data, 2, 100) != HAL_OK) { return 0; } return ((uint16_t)data[0] << 8) | data[1]; // 大端序拼回 }这里用 Mem_Write/Mem_Read 而不是 Master_Transmit/Receive，是因为 Mem 系列内部自动完成「先写寄存器指针，再传数据」的两段式流程。INA226 是有寄存器地址的从机，这种写法最贴切，少一段手写组合序列，代码也干净。第二点是字节序：INA226 寄存器值先传高字节，而 STM32 是小端处理器，直接拿 uint16_t 指针丢进去会把高低字节弄反，读回来的数值像乱码。所以写的时候把高字节放 data[0]，读的时候按 data[0]<<8 拼回。第三个细节是 I2C_MEMADD_SIZE_8BIT，寄存器地址是单字节，如果按 EEPROM 例程抄成 16BIT，IIC 上会多出一个地址字节，后面数据全部错位。
3.2 配置寄存器怎么填
配置寄存器 0x00 的 16 位里，bit15~bit12 固定是 0100，bit11~bit9 是 AVG 平均次数，bit8~bit6 是 VBUSCT 总线电压转换时间，bit5~bit3 是 ISHCT 分流电压转换时间，bit2~bit0 是 MODE 测量模式。不需要死记编码，先明确需求再查数据手册的编码表，拼好之后定义成宏。
一般的需求是连续采样、分流和总线转换时间各取 1.1ms、平均 16 次。按数据手册查编码：AVG=010、VBUSCT=100、ISHCT=100、MODE=111，拼出来就是 0x4000 | (2<<9) | (4<<6) | (4<<3) | 7，结果是 0x4527。
#define INA226_CFG_AVG_16 (2 << 9) // AVG=010，16 次平均 #define INA226_CFG_VBUSCT_1MS (4 << 6) // VBUSCT=100，1.1ms #define INA226_CFG_ISHCT_1MS (4 << 3) // ISHCT=100，1.1ms #define INA226_CFG_MODE_CONT (7) // 连续测量分流+总线 #define INA226_CFG_DEFAULT (0x4000 | INA226_CFG_AVG_16 | \ INA226_CFG_VBUSCT_1MS | \ INA226_CFG_ISHCT_1MS | INA226_CFG_MODE_CONT)AVG 字段直接决定数据噪声表现。信号干净、追求响应速度时，平均次数设成 1 次，转换时间拉到 140µs 最快；电源树这类纹波大的场景，平均设到 128 次以上读数才稳定。常规电源检测用 16 次平均、1.1ms 转换已经够用。
| 需求 | 建议配置 |
|---|---|
| 快速读数，响应 5ms 内 | AVG=1 次，转换 140µs |
| 常规电源检测 | AVG=16 次，转换 1.1ms |
| 噪声大、看趋势曲线 | AVG=128 次以上 |
3.3 校准寄存器的计算
校准寄存器是 INA226 最容易忽略的一步。芯片内部会把分流电压寄存器值乘上校准值，再除以 2048，得到电流寄存器值。校准寄存器默认是 0，意味着如果你不写校准值，电流和功率永远读出来是 0。校准值计算分两步：先定电流 LSB，再算校准值。
电流 LSB 由最大预期电流决定，公式取 maxCurrent / 32768，这是 16 位符号数的正半幅。例如最大电流 2A，LSB 约为 61µA/bit。然后校准值 cal = 0.00512 / (currentLSB × rshunt)，0.00512 是芯片内部固定的换算系数。10mΩ 分流电阻、2A 量程算出来大约是 8389。
static float g_currentLSB; void INA226_Init(float rshunt, float maxCurrent) { // 1. 先写配置寄存器 INA226_WriteReg(INA226_REG_CFG, INA226_CFG_DEFAULT); // 2. 计算电流 LSB 与校准值 g_currentLSB = maxCurrent / 32768.0f; uint16_t cal = (uint16_t)(0.00512f / (g_currentLSB * rshunt)); INA226_WriteReg(INA226_REG_CAL, cal); // 3. 回读厂商 ID，确认通信链路正常，0x5449 就是 "TI" uint16_t mid = INA226_ReadReg(0xFE); if (mid != 0x5449) { // 通信异常，可以在这里做标记或告警 } }参数上要注意 rshunt 单位是欧姆，10mΩ 写成 0.01f。maxCurrent 不能拍脑袋填，分流电压在默认增益下最大 ±81.92mV，所以分流电阻能承受的最大电流是 81.92mV / rshunt。10mΩ 对应最大约 8.19A，填 2A 量程留了四倍余量，很安全。想测更大的电流，就把分流电阻改小。
3.4 读取四个量并换算
读取函数把四个寄存器一次抓回来，再按各自 LSB 换算成物理量。这里有一个关键细节：分流电压寄存器和电流寄存器是有符号补码，bit15 是符号位，直接按 uint16_t 乘系数，电流反方向时会得到一个接近 65535 的巨大数。所以先转成 int16_t 再做乘法。功率寄存器是绝对值，不需要处理符号。
typedef struct { float shuntVoltageV; // 分流电压，单位 V float busVoltageV; // 总线电压，单位 V float currentA; // 电流，单位 A float powerW; // 功率，单位 W } INA226_Data; INA226_Data INA226_Read(void) { INA226_Data d; int16_t sv = (int16_t)INA226_ReadReg(INA226_REG_SHUNT); uint16_t bv = INA226_ReadReg(INA226_REG_BUS); int16_t cu = (int16_t)INA226_ReadReg(INA226_REG_CUR); uint16_t pw = INA226_ReadReg(INA226_REG_PWR); d.shuntVoltageV = sv * 2.5e-6f; // 每 bit 2.5µV d.busVoltageV = bv * 1.25e-3f; // 每 bit 1.25mV d.currentA = cu * g_currentLSB; // 每 bit 一个电流 LSB d.powerW = pw * 25.0f * g_currentLSB; // 功率 LSB=25×电流 LSB return d; }总线电压 LSB 是 1.25mV，比如寄存器读到 0x0D48，即 3396，对应 4.245V。分流电压 LSB 是 2.5µV，量程很小但分辨率高，2A 电流在 10mΩ 电阻上产生 20mV 压降，寄存器值就有 8000，分辨率足够。
主循环里调用就很简单了，初始化时告诉驱动分流电阻和量程，之后循环读数据、打印。
int main(void) { HAL_Init(); SystemClock_Config(); MX_GPIO_Init(); MX_I2C1_Init(); INA226_Init(0.01f, 2.0f); // 10mΩ 分流电阻，2A 量程 while (1) { INA226_Data d = INA226_Read(); printf("Vbus=%.3fV Vshunt=%.3fmV I=%.3fA P=%.3fW\r\n", d.busVoltageV, d.shuntVoltageV * 1000.0f, d.currentA, d.powerW); HAL_Delay(500); } }读取间隔要和芯片转换时间匹配。配置了 1.1ms 转换加 16 次平均，一次有效数据大约 35ms 更新一次，主循环 500ms 读一次绰绰有余。
4. 调试与避坑指南：INA226 常见的五个翻车现场
4.1 地址对不上，设备一直不 ACK
现象是 HAL_I2C_Mem_Read 返回 HAL_ERROR，逻辑分析仪上只能看到 NACK，寄存器一个都读不出来。最常见原因是地址参数写错。HAL 库第二个参数要的是 8 位地址，很多人直接把手册上的 0x40 填进去，总线上实际发的 7 位地址是 0x20，芯片当然不应答。另外就是 A0/A1 焊接错误或者被上拉到意外电位，地址算出来隔了十万八千里。
解决方式是统一写成 INA226_ADDR << 1，并且在代码注释里写明这是 7 位地址左移后的结果。板子上用万用表量一下 A0/A1 的实际电平再核对一遍地址。示波器看 SDA 上的数据帧，能直接分辨是地址问题还是芯片没上电。
4.2 大小端被搞反，寄存器读数像乱码
现象是配置寄存器写进去 0x4527，读出来变成 0x2745，电压电流数据完全对不上。原因是 IIC 传输顺序固定高字节在前，读回时如果用了 memcpy 或者 uint16_t 指针强转，小端处理器会把高低字节互换。
解决方式就是在读写函数里固定手动处理字节序。写的时候先放高字节，读的时候 (data[0] << 8) | data[1] 拼回。我在代码开头注释里写了「INA226 大端序，别拿 memcpy」，就是为了防止自己或后来的人手滑。这条几乎每个用过 INA226 的人都会踩一次，属于绕不开的血泪经验。
4.3 电流和功率恒为 0，分流电压却正常
现象很典型：总线电压读得出来，分流电压也有数值，但电流、功率永远 0。原因是电流寄存器是芯片内部用分流电压和校准寄存器算出来的，校准寄存器默认值 0x0000，没写或者写完没生效，芯片算出来的电流就一直是 0。
解决方式是按 3.3 的公式算好校准值写进 0x05，写完回读确认。还有一点不能忽略：校准值是绑定分流电阻和量程的，换了一块分流电阻就要重算。之前我换板子时忘了更新校准值，电流读数偏了一半还多，用万用表实测才发现问题。
4.4 数据半天不刷新，读到的都是旧值
现象是信号已经变了，连续读两次结果一模一样，缩短读取间隔也没用。原因分两种。一种是配置把 MODE 设成了单次转换模式，转换完芯片就停了，必须再触发一次才更新。另一种是平均次数配得太大，比如 AVG=1024 次加 8.4ms 转换时间，一次完整更新要十几秒，比你的读取频率慢得多。
解决方式是确认 MODE 字段是 111 连续模式，读取间隔按「转换时间 × 平均次数」估算再留余量。我把平均次数调大后忘了改循环延时，采集了几分钟全是一堆旧值，这种问题第一次遇到确实会让人发懵，怀疑芯片坏了。
4.5 STM32F1 硬件 IIC 死锁
现象是程序跑一段时间后第一次读操作超时，后面每次都超时，复位才能恢复。原因是 F1 的硬件 I2C 状态机在某些总线错误后不会自动恢复，HAL 的 I2C 状态标志可能被置成 BUSY，之后所有操作直接判定超时。
解决方式分三层。第一，确保 SCL/SDA 有 2.2k～4.7k 外部上拉，别依赖内部上拉。第二，每次操作后检查返回值，发现错误就对 I2C 外设做 DeInit 再 Init，强制复位状态机。
if (HAL_I2C_Mem_Read(&hi2c1, INA226_ADDR << 1, reg, I2C_MEMADD_SIZE_8BIT, data, 2, 100) != HAL_OK) { __HAL_I2C_RESET_HANDLE_STATE(&hi2c1); HAL_I2C_DeInit(&hi2c1); MX_I2C1_Init(); }第三，实在被 F1 的硬件 IIC 搞烦了，就把读写函数改成 GPIO 模拟，时序完全自己控制，再也不会有状态机卡死的说法。INA226 对时序要求不高，GPIO 模拟反而更省心。
5. 让采样数据真正可用：均值滤波、Alert 告警与调试输出
5.1 配置芯片自带的均值滤波
INA226 在 ADC 前端就支持平均值计算，AVG 字段可配置 1、4、16、64、128、256、512、1024 次平均。用芯片硬件算平均比在 MCU 里软件滤波省 CPU，而且平均过程在采样周期内部完成，不占用主循环时间。
修改 AVG 字段时要注意保留其他位。从 16 次平均改成 128 次，AVG 编码从 010 变成 100，操作是先把 bit9~bit11 清零再写入新值：
uint16_t cfg = INA226_ReadReg(INA226_REG_CFG); cfg &= ~(0x7 << 9); // 清掉原 AVG 三位 cfg |= (4 << 9); // AVG=100b，128 次平均 INA226_WriteReg(INA226_REG_CFG, cfg);AVG 编码必须对照数据手册查表，不能自己推算。平均次数大了之后，数据更新周期会被放大，实时监控场景慎用。
5.2 Alert 引脚告警：超流自动通知 MCU
轮询读取适合常规采集，超流保护这类场景最好走中断。INA226 的 ALERT 引脚在检测到越界时拉低，把它接到 STM32 的 EXTI 引脚，过流/过压的第一时间就能触发中断，不用在主循环里频繁读状态。
实现分三步：写限制寄存器、使能告警、配置外部中断。以分流电压上限为例，20mV 阈值对应寄存器值 20mV / 2.5µV = 8000，也就是 0x1F40。10mΩ 电阻下这个阈值约等于 2A 电流。
// 分流电压超过 20mV 触发告警，10mΩ 对应约 2A INA226_WriteReg(0x06, 0x1F40); // Shunt Over-Voltage Limit INA226_WriteReg(0x0A, 0x0001); // 使能分流超限告警，ALERT 引脚生效Mask/Enable 寄存器 0x0A 的 bit0 是分流超上限使能，bit2 是总线过压使能，bit4 是功率超限使能，具体 bit 定义对照数据手册表。多个告警源同时使能时，ALERT 引脚都会被拉低，中断里读 0x0A 的状态位区分具体是哪一路。STM32 侧把 ALERT 引脚配置成下降沿中断：
uint8_t ina226_alert_flag = 0; void HAL_GPIO_EXTI_Callback(uint16_t GPIO_Pin) { if (GPIO_Pin == ALERT_Pin) { ina226_alert_flag = 1; // 置标志位，主循环处理 } }需要留意的是 ALERT 引脚是开漏输出，外部要接上拉电阻。告警阈值不要设得太贴近正常工作点，电源纹波会导致频繁误触发，阈值至少留出 10% 噪声余量。
5.3 串口日志与上位机曲线
调试阶段最直观的验证方式是把数值打印到串口。用 printf 需要先做重定向：
int fputc(int ch, FILE *f) { HAL_UART_Transmit(&huart1, (uint8_t *)&ch, 1, 10); return ch; }然后主循环里输出 CSV 格式，每行四个字段直接存文件。串口工具把日志保存成 CSV 后，Excel 拖进去就能画曲线，或者用 python 的 pandas 读出来放 matplotlib 里看放电曲线。调整滤波配置前后对比曲线，能直观看到纹波被压掉的效果，比盯着数码管猜靠谱太多。
printf("%.3f,%.3f,%.3f,%.3f\r\n", d.busVoltageV, d.shuntVoltageV * 1000.0f, d.currentA, d.powerW);6. 二次开发：把 INA226 驱动改造成自己的采集模块
6.1 把驱动抽象成可复用模块
前面的代码是全局函数加静态变量，适合单芯片场景。项目里如果有多路采集需求，比如一块板子同时监测输入电流和输出电流，就需要把驱动改成带句柄的结构体：
typedef struct { I2C_HandleTypeDef *i2c; // 挂在哪条 IIC 总线上 uint8_t addr; // 7 位从机地址 float rshunt; // 分流电阻阻值 float maxCurrent; // 量程 float currentLSB; // 算出的电流 LSB } INA226_Handle;所有函数改成第一个参数传句柄，内部读写都通过句柄里的 i2c 和 addr。这样两块芯片各建一个句柄，互不干扰。地址方面 A0/A1 有 16 种组合，一条 IIC 总线上最多挂 16 块 INA226，做多通道采集很轻松。
6.2 改量程只需要重新算两个数
换分流电阻时，硬件改一个电阻，软件改两个数值：最大电流和分流电阻阻值。计算流程和初始化时一样，先算 LSB 再算校准值。下面是常用组合参考：
| 分流电阻 | 最大可测电流 | 典型量程 |
|---|---|---|
| 10mΩ | 约 8.19A | maxCurrent=2A |
| 1mΩ | 约 81.9A | maxCurrent=20A |
| 0.5mΩ | 约 163.8A | maxCurrent=40A |
分流电阻的功率不能忽略。2A 过 10mΩ 功耗 0.04W，20A 过 1mΩ 功耗 0.4W，持续大电流下电阻封装功率必须留出一倍以上余量，否则焊锡都可能化掉。我吃过这个亏，后来凡是负载电流超过 5A 的板子，分流电阻一律选 2W 以上封装，并在代码注释里把功耗算好。
6.3 上板验证方法
驱动改完之后先用已知负载验证。拿一个功率电阻当负载，电压源调到 5V，万用表串联测电流，同时看 INA226 读数。我第一次调通时用 47Ω 水泥电阻做负载，理论上电流 106mA，INA226 读 108mA，万用表量 107mA，三组数据基本对齐，这才放心往后做放电测试。验证时记得先确认分流电阻实际阻值，用 LCR 表量一遍再写进代码，丝印标称值和实际值经常有偏差。从那以后我每次换板子，第一件事就是把分流电阻阻值量出来，按公式重算 LSB 和校准值，再跑一遍对比验证，这套流程已经成了习惯。希望这篇笔记能帮到你。
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