DDR4的读写时序参数
一、核心时序参数
CL（CAS Latency）
定义：从列地址被选中到数据开始出现在数据总线上的时间，通常以时钟周期为单位。
影响：CL值越小，内存响应越快，性能越好。但过低可能增加时序冲突和不稳定性。
tRCD（RAS to CAS Delay）
定义：从行激活命令发出到列地址选通命令可以发出的最小时间间隔。
影响：对内存最大频率影响大。超频时，若难通过加电压、放宽CL提频，增大tRCD是可行办法。
tRP（RAS Precharge Time）
定义：内存下一次操作前，对当前行预充电的时钟周期数。
影响：频繁操作同一存储体会加大其影响，但内存的Bank交叉操作等机制会削弱影响。
tRAS（RAS Active Time）
定义：从行激活到预充电的总周期数。
影响：tRAS值不能过小（易数据错误）也不能过大（影响性能），负载大时适当放宽可保数据稳定。
二、其他关键参数
tRC（Row Cycle Time）
定义：从一次行激活开始到下一次行激活开始之间的时间。
影响：tRC是tRP和tRAS之和的近似值，代表内存模块完成一个完整行访问周期所需的时间。
tWR（Write Recovery Time）
定义：从写操作完成到下一次读或写操作开始之间的时间。
影响：tWR的值决定了写操作后内存模块需要等待多久才能进行下一次读写操作。
tRRD（Row to Row Delay）
定义：连续激活两行地址的最低等待时钟周期。
影响：当内存进行频繁读写时，会连续激活行地址进行读写操作，tRRD就是连续激活两行地址所需的等待时钟周期。
tRFC（Refresh Cycle Time）
定义：刷新周期时间，不同颗粒刷新周期有差别，例如350ns，500ns。
影响：tRFC的值对内存的性能和稳定性有重要影响，需要在设计时进行仔细考虑。
三、时序对性能的影响
CL：同频率下，CL越小响应越快。
tRCD：对内存最大频率影响大。
tRP：适当放宽可提升兼容性。
tRAS：负载大时适当放宽可保数据稳定。
tRC：对内存的性能和稳定性有重要影响。
tWR：较短的tWR值可以提高内存的写入效率，但也可能影响数据的稳定性。
tRRD：当内存进行频繁读写时，会连续激活行地址进行读写操作，tRRD就是连续激活两行地址所需的等待时钟周期。
tRFC：tRFC的值对内存的性能和稳定性有重要影响，需要在设计时进行仔细考虑。
四、调整时序参数的建议
性能测试：在调整时序参数后，需要进行性能测试以评估内存的性能变化。
逐步调整：在调整时序参数时，应逐步进行，避免一次性调整过多参数导致系统不稳定。
