w金属一般用在芯片的哪个支撑？用什么方法做的？

知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：w金属一般用在芯片的哪个支撑？用什么方法做的？

不同工艺节点接触孔填充材料的变化

如上图，接触孔填充材料由金属Al向金属W进行转变

什么是接触孔？

如上图，红圈内的为接触孔，土黄色为填充的金属W。

为什么接触孔金属由铝到钨？

一般沉积铝用PVD的方法，而沉积W可以用CVD的方法。

但是当线宽减小后，PVD-Al的覆盖均匀性不好，且铝容易发生电迁移，因此改用CVD-W，CVD-W能够完美解决该问题。
CVD-W工艺

一般采用WF6气体与氢气，利用氢气的还原性，将WF6还原为W金属。

WF6+3H2→W+6HF

还有哪些前驱体可以用在CVD-W工艺上？

还有WCl6，WCl5，W(CO)6。但是WCl6，WCl5会有一些Cl的残留，W(CO)6沉积的速度比较慢。