示例目标为：`VIN = 5 V`，`VOUT = 12 V`。
一、典型电路与各引脚作用
MT3608 是一款固定开关频率约 1.2 MHz 的升压型 DC-DC 转换器。其典型外围电路包括输入电容 `CIN`、电感 `L1`、肖特基二极管 `D1`、输出电容 `COUT`，以及输出电压反馈分压电阻`RTOP`、`RBOT`。
1. FB：反馈输入
FB 是反馈输入端。芯片会调节开关占空比，使 FB 引脚电压稳定在典型值 0.6 V。
2. SW：开关节点
SW 与芯片内部功率 MOSFET 的漏极相连，同时连接电感和肖特基二极管的阳极。它是高速脉冲开关节点。
- 内部 MOSFET 导通时，SW 被拉低，输入电源向电感储能，二极管通常反向截止，负载主要由输出电容供电。
- 内部 MOSFET 关断时，电感电流不能突变，SW 电压上升，电感经二极管向输出电容和负载释放能量。
如此反复开关，便能得到高于输入电压的输出电压。SW 节点的波形幅度大、变化快，PCB 走线应尽量短，铜皮面积也不宜过大，以减小噪声和电磁干扰。
3. EN：使能输入
EN 是芯片的开关控制端：
- 高电平：芯片工作；
- 低电平：芯片关断。
如果不需要外部控制，通常可将 EN 直接连接到 VIN，自启动。EN 不应悬空，因为悬空状态不确定，可能受到噪声干扰而误动作。
4. VIN 与 GND
VIN 是芯片电源输入端，应在 VIN 与 GND 附近放置输入旁路电容。GND 是芯片及整个转换器的参考地。输入电容、输出电容和芯片地之间的高频电流回路要尽可能短。
二、输出电压设置
输出电压由反馈分压电阻决定：
VOUT = VREF × (1 + RTOP / RBOT)
VREF ≈ 0.6 V
其中：
- `RTOP`：VOUT 到 FB 之间的上拉电阻；
- `RBOT`：FB 到 GND 之间的下拉电阻。
例如，设计通过该支流电路电流小于1mA，将 `RBOT` 取为 `1 kΩ`，要求 `VOUT = 12 V`：
RTOP = RBOT × (VOUT / VREF - 1)
= 1 kΩ × (12 / 0.6 - 1)
= 19 kΩ
所以 `RTOP = 19 kΩ`、`RBOT = 1 kΩ` 时，理论输出约为 12 V。实际电压会受到电阻误差、0.6 V 基准误差、负载及布线等因素影响。
还需注意：MT3608 只能主动升压，不能像降压芯片一样把输出稳定在低于输入的设定值。当输入接近或高于目标输出时，输出可能通过电感和二极管跟随输入，芯片也不能提供真正的输出断开功能。
三、电感选择
推荐范围为 `4.7～22 µH`。选型时不能只看电感量，还要关注：
- 饱和电流应高于实际峰值电感电流，并留出余量；
- 直流电阻 DCR 越小，导通损耗通常越低；
- 在 1.2 MHz 附近应具有合适的高频特性。
电感峰值电流可近似写成：
IL(PEAK) ≈ IIN(AVG) + ΔIL / 2
IIN(AVG) ≈ VOUT × IOUT / (VIN × η)
ΔIL ≈ VIN × D / (L × fSW)
D ≈ 1 - VIN / VOUT
其中 `η` 为效率，`fSW` 约为 1.2 MHz。最终仍应按最小输入电压、最大负载和器件容差校核。
四、电容选择
- 输入端：至少使用约 `10 µF` 的低 ESR 陶瓷电容，紧靠 VIN 与 GND；
- 输出端：至少使用约 `22 µF` 的低 ESR 陶瓷电容，紧靠二极管、输出端与 GND；
- 可并联 `100 nF～220 nF` 小电容以改善更高频段的旁路，但它不能代替主储能电容；
- 陶瓷电容在直流偏压下有效电容量会下降，选型时应查看 DC Bias 曲线，并保证耐压有足够余量。
五、肖特基二极管选择
二极管应使用开关速度快、正向压降低的肖特基二极管。其方向为：阳极接 SW，阴极接 VOUT。
选型主要看两项：
1.反向耐压：反向击穿电压应高于最大输出电压（是1.5-2倍），并保留瞬态尖峰余量。对于 12 V 输出，选 20 V 或更高耐压需结合实际尖峰；工程上常留更充分余量。
2. 电流能力：平均正向电流额定值应高于最大输出电流并留有余量；同时还要确认浪涌电流、热阻和温升。二极管在 MOSFET 关断期间承载的瞬时电流接近电感电流，因此峰值电流也不能超过其能力。ID(RMS) ≈ √(ID(PEAK) × Iout (电流额定值约等于输出平均电流与峰值电流乘积开根号)
六、PCB 布局要点
- `CIN—L1—内部 MOSFET—GND` 的高频回路应尽量短；
- `L1—D1—COUT—GND—内部 MOSFET` 的换流回路应尽量小；
- SW 节点远离 FB 走线和反馈分压电阻；
- 反馈电阻靠近 FB 放置，FB 从输出电容正端安静取样；
- 输入、输出电容的地端应以短而宽的路径接到芯片地；
- 大电流走线要足够宽，并注意芯片、电感和二极管散热。
