该产品采用H桥电路结构设计，内部集成N沟道和 P沟道功率MOSFET，特别适合驱动线圈、
马达等感性负载。
电路内部集成过温保护，当电路内部温度超过 设定值时 (典型值150℃)，关断负载电流。当电路的结温下降到预设温度(典型值130℃)时，
电路返回正常工作状态；但电路不具有短路保 护功能，当输出对地短路、输出对电源短路、 输出端短路时易导致电路损坏，使用时应避免发生短路，或者加入限流措施避免发生类似损 坏。
逻辑控制电源 VCC与功率电源VDD内部完全独 立，实际使用中应分开布线，禁止将 VCC与VDD 直接接到一起，以防止 VDD高压对电路VCC端 造成损伤。
低待机电流 (小于0.1uA)
工作电压范围：2V-5.5V
最大持续输出电流：2.7A(VDD=4.5V)
最大峰值输出电流：10A(VDD=4.5V)
低导通内阻
—1200毫安输出电流时，内阻0.2欧姆
—300毫安输出电流时，内阻0.15欧姆
较小的输入电流
— 逻辑输入INA\INB集成15K对地下拉电阻
内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
抗静电等级：2KV (HBM)
应用范围
2-3节AA/AAA干电池供电的玩具马达驱动
2-3节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱 动
1节锂电池供电的马达驱动
