规格书16到19页
Fig.6 电容值随温度变化的关系，这个也解释了之前的疑惑，为什么见到很多电容都是-20%到+80%的疑惑，电容值在室温的时候测试的，温度范围不是对称的。
为什么是 -55℃ ~ +125℃？
这个范围不是随便定的，它对应着陶瓷介质材料本身的物理极限和行业通行的可靠性标准：
- -55℃是最低工作温度，取自军用/航天电子广泛遵循的标准下限（如 MIL 标准体系），同时也接近陶瓷介质材料可靠工作的实际边界；
- +125℃是标准上限温度，对应 X7R 等常见 II 类介质的高温极限，超出后介质绝缘性能会显著恶化。
接下来看下另外两个个重要的概念，ESR和阻抗Impedance
先复习一下在普通电路设计中，通常只需要关注电容的容值、精度、耐压值、封装、工作温度、温漂等参数。但是，在高速电路或者电源系统中，以及一些对电容要求很高的时钟电路中，需要考虑电容的各种寄生参数。此时的电容是由一个等效串联电阻ESR、等效串联电感ESL和一个等效并联电阻Rleak组成的电路。
电容的等效模型如下图所示：
- ESL：由电容器的引脚电感和电容器两极间的等效电感串联组成
- ESR：由电容器件的引脚电阻和电容器件两极间等效电阻构成，主要取决于电容的工作温度、工作频率以及电容本身的导线电阻等
- Rleak：取决于电容的泄露特性
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原文链接：硬件基础元器件【2.电容篇】_电容等效模型-CSDN博客
官网有更准确的SPICE Model
损耗因数 DF、Q值、容抗Xc、等效串联电阻 ESR 它们的关系如下：
DF = \tan\delta = \frac{1}{Q} = \frac{ESR}{X_C}
Q = \frac{1}{DF} = \frac{1}{\tan\delta} = \frac{X_C}{ESR}
X_C = \frac{1}{2\pi fC} = \frac{ESR}{DF} = ESR \times Q
ESR = X_C \times DF = X_C \times \tan\delta = \frac{X_C}{Q}=\frac{D_F}{{2\pi fC}}
使用LTspice仿真结果：
这个是使用自带的器件模型仿真的结果：
下面是官网给的SPICE模型仿真的结果：
下面是通过村田下载的SPICE模型的codex反推的电路图仿真结果：
下面是官网的结果：
根据上面的图示，电容等效模型只是可以简单计算ESR的拐点，实际仿真结果差距较大，村田模型把损耗拆成多级 R∥C 梯级，让损耗随频率变化，所以能同时对上数据手册的 |Z| 和 ESR 两条曲线，尤其是低频段按 1/f 抬升的那段 ESR。普通 RLC 模型只有一只固定电阻，ESR 是条平线，对不上。如果对精度要求高，使用官网的S参数或者SPICE模型。
国巨官网查询电容信息网站ksim
村田官网信息：SimSurfing
另外提下Ltspice可以之间接入codex，现在仿真只是简单发指令就可以完成，AI太方便了！！！
